(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
分極劣化のない不揮発性メモリ「MFMIS-FET」の開発 |
資料番号 : 100210021555 |
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所在等 | ローム株式会社 |
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所在地 | 京都府京都市 |
製作(製造)年 | 1994 |
種類 | 試作品 |
製作者(社)等 | ローム株式会社 |
調査機関団体 | 社団法人 日本電子機械工業会 |
特徴 | (1)世界初の,強誘電体メモリの実用化を予感させる大きな開発成果である。これまでのメモリの常識を覆すような開発成果が得られている。(2)強誘電体メモリ素子として,不揮発性メモリの特長は,もちろん従来ネックとなっていたスピードをSRAMなみに上げることが可能となった。(3)チップサイズがフラッシュメモリなみとなっている。(4)ほぼ無制限(1兆回以上)の書き換えが可能。 |
資料公開状況 | 非公開 |
調査票記入日 | 1998/01/01 |