(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
IGBTモジュール |
資料番号 : 100210021407 |
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所在等 | 富士電機株式会社 松本工場 |
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所在地 | 長野県松本市 |
製作(製造)年 | 1988 |
種類 | 量産品 |
製作者(社)等 | 富士電機株式会社 |
調査機関団体 | 社団法人 日本電子機械工業会 |
特徴 | (1)バイポーラトランジスタの低オン電圧特性とMOSFETの電圧駆動と高速動作を兼ね備えたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を開発した。(2)モジュール系列を拡大し,産業用インバータ等の大容量化,小型軽量化,低騒音化,高効率化に貢献した。 |
資料公開状況 | |
調査票記入日 | 1998/08/18 |