(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
Ge-APD(1.3μm帯) FPD140M |
資料番号 : 100210021370 |
---|
所在等 | 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部 |
---|---|
所在地 | 神奈川県川崎市 |
製作(製造)年 | 1979 |
種類 | 設計図・文献 |
製作者(社)等 | 金田 隆夫(FCSI(Fujitsu Compound Semiconductor, Inc.)) |
調査機関団体 | 社団法人 日本電子機械工業会 |
特徴 | (1)世界初の商品化(APD:Avalanche Photo-Diode)。(2)高感度,高信頼性特性(低過剰雑音,低暗電流,高速応答)。(3)400M~1.6Gビット/秒の1μm帯光通信の陸上/海底システムに広く使用され,昭和50年代における1μm帯光通信システムの構築に大きく寄与した。(4)発売後5年ほどは独占状態であった。 |
資料公開状況 | 非公開 |
調査票記入日 | 1998/08/20 |