(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
HEMT発明 高電子移動度トランジスタ 特許第1409643号 |
資料番号 : 100210021369 |
所在等 |
富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部 |
所在地 |
神奈川県川崎市 |
製作(製造)年 |
1979 |
種類 |
設計図・文献 |
製作者(社)等 |
三村 高志(株式会社富士通研究所) |
調査機関団体 |
社団法人 日本電子機械工業会 |
特徴 |
(1)HEMT(High Electron Mobility Transistor)は,新しい原理・構造をもつトランジスタ。・これまでに実用化された半導体デバイスの中で,最も優れた高速・高周波性能を実現したデバイス。(2)GaAs,AlGaAs等を組み合わせたヘテロ構造の通常のトランジスタ構造と異なり,電子が走行する層に不純物を添加する必要がないため,電子のスピードを飛躍的に高くできることを実証した。(3)HEMTは衛星放送受信用の低雑音デバイスとして,国内外の多くの企業で商品化され,衛星放送を世界的に普及させる原動力となった。(4)最近では携帯電話やPHSの基地局,GPSを利用したカーナビゲーションシステム等にも使用され,各種無線システムに必須のデバイスにまで成長した。 |
資料公開状況 |
非公開 |
調査票記入日 |
1998/08/20 |
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