低損失MgZnフェライト

資料番号 : 100210021583
所在等 TDK株式会社 基礎材料研究所
所在地 千葉県成田市
製作(製造)年 1998
種類 試作品
製作者(社)等 TDK株式会社
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 従来材と比較してコアロスを25%低減するとともに飽和磁束密度を15%増大したMgZnフェライト材料。MgZn フェライトの一部をMn、Cuで置換し,基本組成および焼成技術の改善により実現した。低温度による焼成を実現したことで,エネルギーの消費を抑え,地球環境に優しい材料でもある。
資料公開状況
調査票記入日 1998/09/09
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