分極劣化のない不揮発性メモリ「MFMIS-FET」の開発

資料番号 : 100210021555
所在等 ローム株式会社
所在地 京都府京都市
製作(製造)年 1994
種類 試作品
製作者(社)等 ローム株式会社
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)世界初の,強誘電体メモリの実用化を予感させる大きな開発成果である。これまでのメモリの常識を覆すような開発成果が得られている。(2)強誘電体メモリ素子として,不揮発性メモリの特長は,もちろん従来ネックとなっていたスピードをSRAMなみに上げることが可能となった。(3)チップサイズがフラッシュメモリなみとなっている。(4)ほぼ無制限(1兆回以上)の書き換えが可能。
資料公開状況 非公開
調査票記入日 1998/01/01
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