MBE法による半導体レーザの製造

資料番号 : 100210021543
所在等 ローム株式会社
所在地 京都府京都市
製作(製造)年 1984
種類 量産品
製作者(社)等 ローム株式会社
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)MBE(Molecular Beam Epitaxy)法による半導体レーザの工業的な実用化に世界で初めて成功した。(2)原子オーダでの精密制御によって,化合物(AIGaAs)半導体結晶成長が可能。(3)CD(コンパクトディスク),レーザビームプリンタ,光通信など,用途ごとに要求される特性を最適化する設計,製造が可能。(4)従来は,量産に向かないと言われていたMBE装置を独自技術で改良することで,長期安定稼働な装置にした。(5)1993年 IEEEの「ENGINEERING ACHIEVEMENT AWARD」賞を受賞。
資料公開状況
調査票記入日 1998/08/25
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