IGBTモジュール

資料番号 : 100210021407
所在等 富士電機株式会社 松本工場
所在地 長野県松本市
製作(製造)年 1988
種類 量産品
製作者(社)等 富士電機株式会社
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)バイポーラトランジスタの低オン電圧特性とMOSFETの電圧駆動と高速動作を兼ね備えたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を開発した。(2)モジュール系列を拡大し,産業用インバータ等の大容量化,小型軽量化,低騒音化,高効率化に貢献した。
資料公開状況
調査票記入日 1998/08/18
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