HEMT発明 高電子移動度トランジスタ 特許第1409643号

資料番号 : 100210021369
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 神奈川県川崎市
製作(製造)年 1979
種類 設計図・文献
製作者(社)等 三村 高志(株式会社富士通研究所)
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)HEMT(High Electron Mobility Transistor)は,新しい原理・構造をもつトランジスタ。・これまでに実用化された半導体デバイスの中で,最も優れた高速・高周波性能を実現したデバイス。(2)GaAs,AlGaAs等を組み合わせたヘテロ構造の通常のトランジスタ構造と異なり,電子が走行する層に不純物を添加する必要がないため,電子のスピードを飛躍的に高くできることを実証した。(3)HEMTは衛星放送受信用の低雑音デバイスとして,国内外の多くの企業で商品化され,衛星放送を世界的に普及させる原動力となった。(4)最近では携帯電話やPHSの基地局,GPSを利用したカーナビゲーションシステム等にも使用され,各種無線システムに必須のデバイスにまで成長した。
資料公開状況 非公開
調査票記入日 1998/08/20
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