GaAsパワーFET Mesh Source Type Microwave Power FET(ISSCC論文名)

資料番号 : 100210021367
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 神奈川県川崎市
製作(製造)年 1973
種類 設計図・文献
製作者(社)等 福田 益美(富士通カンタムデバイス株式会社 代表取締役社長)
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)世界初のGaAsパワーFET。・出力電力1.6W,効率30%(2GHz)。(2)TWT(進行波管)を置き換えられる3端子素子として注目を集めた。(3)その後のマイクロ波地上および衛星通信の送信装置に使用されてきている。(4)装置の固定化が可能となり,信頼度の高い通信網が実現できた。
資料公開状況 非公開
調査票記入日 1998/08/20
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