世界初のCGS(連続粒界結晶シリコン)を開発

資料番号 : 100210021125
所在等
所在地
製作(製造)年 1998
種類
製作者(社)等 (シャープ株式会社)
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)電子の移動度が従来のアモーファスSi TFT(薄膜トランジスタ)の約600倍,低温多結晶Si TFTの約4倍を達成した半導体。(2)従来のTFT液晶をはるかに上回る高精細液晶ディスプレイが実現できるほか,液晶ディスプレイと各種処理回路を同じガラス基板上に一体化するシステム・オン・パネルも実現可能。(3)単結晶Siウエーハに代わって,高速・高密度のLSIをガラス基板上に形成できる可能性も開く。
資料公開状況
調査票記入日 1998/08/05
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