(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
パワーMOSFET SuperFAP-Gシリーズ |
資料番号 : 106710761056 |
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所在等 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 松本事業所 |
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所在地 | 長野県松本市 |
製作(製造)年 | 2001 |
種類 | 量産品 |
製作者(社)等 | |
調査機関団体 | 社団法人産業環境管理協会 |
特徴 | 世界初、プレーナー型パワーMOSFETにおいて、シリコン理論限界の10%以内にまで迫る低オン抵抗特性と従来比約1/2倍の高速スイッチング特性を両立した画期的な超高性能パワーMOSFETを実現し、スイッチング電源の小型化、高効率化に貢献した。 |
資料公開状況 | |
調査票記入日 | 2007/02/13 |