パワーMOSFET SuperFAP-Gシリーズ

資料番号 : 106710761056
所在等 富士電機デバイステクノロジー株式会社 松本事業所
所在地 長野県松本市
製作(製造)年 2001
種類 量産品
製作者(社)等
調査機関団体 社団法人産業環境管理協会
特徴 世界初、プレーナー型パワーMOSFETにおいて、シリコン理論限界の10%以内にまで迫る低オン抵抗特性と従来比約1/2倍の高速スイッチング特性を両立した画期的な超高性能パワーMOSFETを実現し、スイッチング電源の小型化、高効率化に貢献した。
資料公開状況
調査票記入日 2007/02/13
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