ワンチップ高機能MOSFET

資料番号 : 106710761046
所在等 富士電機デバイステクノロジー株式会社 松本事業所
所在地 長野県松本市
製作(製造)年 1995
種類 量産品
製作者(社)等
調査機関団体 社団法人産業環境管理協会
特徴 世界初、自己分離NOMOSプロセスを用いた、過電流・サージ(ESD、L負荷サージ)に対する保護機能と出力段MOSをモノリシック構成し、従来の単体MOS、BJTと同じ3端子構成で実現した高機能MOSFETを開発し、自動車用ECUの小型・高信頼化に貢献した。
資料公開状況
調査票記入日 2007/02/13
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