(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
チャープ超格子の試作サンプル |
資料番号 : 103210361062 |
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所在等 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター |
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所在地 | 茨城県つくば市 |
製作(製造)年 | 1984 |
種類 | 試作品 |
製作者(社)等 | |
調査機関団体 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 |
特徴 | 電子技術総合研究所が提案したチャープ超格子素子は負性抵抗特性を自由に設計でき、インピーダンスも低くすることが出来た。その素子の作製にあたっては、同じく電子技術総合研究所が開発した位相制御エピタキシ法を利用することにより、素子の要求する結晶成長精度をはじめてクリアすることが出来た。2種(AlGaAsとGaAs)の半導体結晶を結晶内電子波の波長と同程度の薄さで積層構造としたもので、特定の電圧で電流が特異的に減少する特性を持つ。 |
資料公開状況 | 公開 |
調査票記入日 | 2002/10/21 |