ガリウムひ素バリステック電界トランジスター

資料番号 : 103210361060
所在等 独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター 
所在地 茨城県つくば市
製作(製造)年 1984
種類 試作品
製作者(社)等
調査機関団体 独立行政法人 産業技術総合研究所
特徴 GaAs電界効果トランジスタにおいてチャネル長をサブミクロンにし、かつチャネル下にp型バリア層を形成する事により、チャネル以外への電子のリークを防ぎ、ショートチャネル効果を抑制し、トランジスタ特性を大幅に向上させ、化合物半導体電界効果トランジスタの実用化への道を開いた。当時、化合物半導体を用いて高性能なトランジスタを作製し、これを用いて超高速計算機を作製するプロジェクトが立ち上げられた。様々な構造のトランジスタが化合物半導体を用いて試みられ、超高速計算機への応用よりも、超高周波素子への応用が発展し、通信衛星、衛生放送の実用化が計られた。
資料公開状況 公開
調査票記入日 2002/10/21
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