(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
分子層単位の結晶成長を可能とした位相制御エピタキシ法の実証サンプル |
資料番号 : 103210361059 |
---|
所在等 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター |
---|---|
所在地 | 茨城県つくば市 |
製作(製造)年 | 1984 |
種類 | 試作品 |
製作者(社)等 | |
調査機関団体 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 |
特徴 | 2種(AlGaAsとGaAs)の半導体結晶が薄膜状に高精度に積層させたものである。表面は電気特性測定のための金で覆われている。 |
資料公開状況 | 公開 |
調査票記入日 | 2002/10/21 |