分子層単位の結晶成長を可能とした位相制御エピタキシ法の実証サンプル

資料番号 : 103210361059
所在等 独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター 
所在地 茨城県つくば市
製作(製造)年 1984
種類 試作品
製作者(社)等
調査機関団体 独立行政法人 産業技術総合研究所
特徴 2種(AlGaAsとGaAs)の半導体結晶が薄膜状に高精度に積層させたものである。表面は電気特性測定のための金で覆われている。
資料公開状況 公開
調査票記入日 2002/10/21
本データベース記載の画像及びテキストの複製・転載を禁じます

検索結果一覧へ戻る