(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
位相制御エピタキシー法で作製したAlGaAs/GaAs超格子及び断面写真 |
資料番号 : 103210361058 |
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所在等 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター |
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所在地 | 茨城県つくば市 |
製作(製造)年 | 1984 |
種類 | 試作品、写真 |
製作者(社)等 | |
調査機関団体 | 独立行政法人 産業技術総合研究所 |
特徴 | 電子技術総合研究所が開発した位相制御エピタキシ法により設計どおりの超格子構造が作製できていることを証明している。当時世界各国で研究されていた分子線エピタキシ法は、格子整合した二種の半導体単結晶を結晶成長することを可能としたが、材料蒸発源の微細な温度変化で成長速度が変化する困難があった。電子技術総合研究所が開発した位相制御エピタキシ法は、反射電子線回析像を実時間モニタリングすることにより、結晶成長の量を一分子層単位で実時間決定することを可能にした。 |
資料公開状況 | 公開 |
調査票記入日 | 2002/10/21 |