超高真空走査型トンネル顕微鏡ユニット

資料番号 : 103210361055
所在等 独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター 
所在地 茨城県つくば市
製作(製造)年 1986
種類 試作品
製作者(社)等
調査機関団体 独立行政法人 産業技術総合研究所
特徴 1986年に日本で最初に安定してシリコン表面の原子像観察ができた装置。本装置を用いて、シリコン表面の清浄化プロセス、水素化・酸化プロセスの研究を行った。産官学(電総研、セイコー電子、東芝、他)連携で開発した装置。
資料公開状況 公開
調査票記入日 2002/10/21
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