抵抗内蔵トランジスタの開発

資料番号 : 100210021539
所在等 ローム株式会社
所在地 京都府京都市
製作(製造)年 1982
種類 量産品
製作者(社)等 ローム株式会社
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
特徴 (1)世界で初めてバイアス抵抗を内蔵したスイッチ回路に適したトランジスタを製品化した。(2)バイアス抵抗を内蔵したことで,外付けの部品が不要となり,実装基板が簡素化される。面実装トランジスタの場合,一層の小スペース化が可能。(3)ON,OFF条件の設定で動作するため,回路設計が容易になる。(4)薄膜抵抗を採用し,完全にアイソレーションしているため,寄生効果がない。
資料公開状況
調査票記入日 1998/08/25
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