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ワンチップ高機能MOSFET

資料番号	106710761046
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1995
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、自己分離NOMOSプロセスを用いた、過電流・サージ（ESD、L負荷サージ）に対する保護機能と出力段MOSをモノリシック構成し、従来の単体MOS、BJTと同じ3端子構成で実現した高機能MOSFETを開発し、自動車用ECUの小型・高信頼化に貢献した。

液晶パネル専用電源IC

資料番号	106710761047
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1997
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、液晶パネルの駆動に必要なすべての電力供給を賄い、スイッチング用MOSFETも内蔵した小型電源IC。液晶パネルの小型化と市場拡大に寄与した。

NPT-IGBT

資料番号	106710761048
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1998
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	国内初、ノンパンチスルー型IGBTチップを絶縁型パッケージに組むモジュールの製品化により、IGBTのスイッチング損失の温度依存性を改善しモータドライブ用インバータ等の信頼性向上に貢献した。

SOI型PDPスキャンIC

資料番号	106710761049
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1998
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、貼り合わせSOIウエハにトレンチ分離を適用した誘導体分離方式と横型IGBTを組み合わせることにより、従来の接合分離方式に比較して、大幅な低消費電力化とチップサイズ縮小によるコストダウンを実現し、カラーPDPの発展に貢献した。

インクジェット・プリンタ用高耐圧電源IC

資料番号	106710761050
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1998
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、パソコンの普及に伴い、その周辺機器としてプリンタが普及する中、特にピエゾ方式のインクジェットプリンタでは入力電源が42V必要となる。この要求に対してパワーMOS内蔵の1chDC/DCコンバータ用ICを開発・量産供給することでプリンタ価格のコストダウンおよび製品の普及に貢献した。

チップ温度センサ内蔵IGBT-IPM

資料番号	106710761051
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1998
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、チップ温度センサをIGBTチップ上に構成したIGBTチップ、ダイオード、ドライブ回路及び保護回路を絶縁型パッケージ内に構成した。チップ温度の測定により素子適用限界を向上させることによりモータドライブ用インバータの性能向上に貢献した。

ワンチップイグナイタ

資料番号	106710761052
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	1998
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、高サージ耐量と電流制限機能付きのIGBT型ワンチップイグナイタを開発。自動車用独立点火方式の普及、燃費向上と排ガスのクリーン化に貢献した。

部分共振型電源用パワーIC　M-Power1

資料番号	106710761053
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2000
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、ZVT部分共振用制御ICとメインMOS-FET・補助MOS-FETを1つのパッケージに搭載。構造は配線基盤を廃止しIC・2つのMOS-FETとフレームで構成することによりオールシリコンで達成。スイッチング電源の高効率・高力率・小型化・高信頼性に貢献した。

FS-IGBT

資料番号	106710761054
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2001
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	試作品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	国内初、コレクタ部（裏面）にバルク部とは異なる抵抗層を構成することで電解の緩和をしたフィールドストップ（FS）構造のIGBTにより、バルク層の厚みを低減し低損失なIGBTを実現。パワーエレクトロニクスの発展に貢献。

ディジタル・スチル・カメラ用システム電源IC

資料番号	106710761055
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2001
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、ディジタル・スチル・カメラ向けにCMOSプロセスを用いた初の統合システム電源ICを開発し、ディジタル・スチル・カメラの高機能化、省電力化に貢献した。

パワーMOSFET　SuperFAP-Gシリーズ

資料番号	106710761056
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2001
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、プレーナー型パワーMOSFETにおいて、シリコン理論限界の10％以内にまで迫る低オン抵抗特性と従来比約1/2倍の高速スイッチング特性を両立した画期的な超高性能パワーMOSFETを実現し、スイッチング電源の小型化、高効率化に貢献した。

逆阻止IGBTモジュール

資料番号	106710761057
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2002
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	試作品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、順・逆両方向に耐圧を有するIGBTチップを冷却体と絶縁したパッケージ内に2阻止並列接続の状態で内蔵することで双方向のスイッチを構成した。交流電流の周波数をダイレクトに交換する装置等に応用することでパワーエレクトロニクスの発展に貢献した。

携帯電話用システム電源IC

資料番号	106710761058
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2002
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、RGBのLED輝度勾配をデジタル制御する回路を含む、携帯電話の統合LED用電源ICを製品化した。蛍のような着信イルミネーション、バックライトなどのLED点灯制御を本電源IC1個で行うことが可能となった。

電流共振型電源用パワーIC　M-Power2

資料番号	106710761059
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2002
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、共振はずれが無く、軽負荷での周波数上昇が少ない複合型電流共振用の専用制御ICと2つのMOS-FETを1つのパッケージに搭載しオールシリコンで達成。スイッチング電源の高効率・高力率・小型化・高信頼性に貢献した。

車載用ワンチップ圧力センサ

資料番号	106710761060
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2003
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、CMOSプロセスでEPROMを用いたデジタルトリミングが可能なワンチップの車載用圧力センサを開発し、自動車のエンジンマネジメントに関するエレクトロニクス化、環境性能の向上に貢献した。

車載用入力統合IC

資料番号	106710761061
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2004
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、自己分離CMOS/NOMOSプロセスを用いた、車載環境でのサージ（ESD、IGパルス）は吸収し、車両状態信号のみをCPUに伝達する入力統合ICを開発し、自動車用ECUの小型・高信頼性化に貢献した。

マイクロ電源

資料番号	106710761062
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2004
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界初、パワーインダクタと制御ICを一体化して厚さ1mm以下の製品を実現した。インダクタと制御ICを併せた実装面積で世界最小サイズ（3．5mm□）。携帯機器の小型化に貢献。

第二世代マイクロ電源

資料番号	106710761063
情報所有館	国立科学博物館
所在等	富士電機デバイステクノロジー株式会社　松本事業所
所在地	松本市
製作(製造)年	2006
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等
資料公開状況
特徴	世界最小、パワーインダクタと制御ICを一体化したインダクター体型制御ICとして世界最小サイズ（2．95mm*2.40mm）を実現。携帯機器の小型化に貢献する。

バッチャープラント FSF-1500

資料番号	106710761064
情報所有館	国立科学博物館
所在等	藤元建設株式会社　生コンクリート工場
所在地	庄原市
製作(製造)年	1998
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	その他
製作者(社)等	日工株式会社
資料公開状況	公開
特徴	バッチャープラントとは、フレッシュコンクリート　標準用語：レディーミクストコンクリート（生コン）の製造工場の名称です。形式は、強制２軸コンクリートミキサー（１．５ｍ３）公称能力は、時間当たり９０ｍ３の製造能力です。

日本語ワープロ　ピコワード

資料番号	106710761065
情報所有館	国立科学博物館
所在等	ブラザーミュージアム
所在地	名古屋市瑞穂区
製作(製造)年	1984
調査機関団体	社団法人産業環境管理協会
調査票記入日	2007/02/13
種類	量産品
製作者(社)等	ブラザー工業株式会社
資料公開状況	公開
特徴	国内初の個人向け日本語ワープロ。1984年（昭和59年）に発売され、当時10万円を切る低価格を実現。熱転写の印字方式を採用することにより、小型でありながら高機能な製品を開発。その後の個人向けワープロ市場を広げた画期的な製品。