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ゴーストキャンセルテレビ C19-D1G

資料番号 100210021355
情報所有館 国立科学博物館
所在等 株式会社日立製作所 デジタルメディアシステム事業部 映像本部
所在地 横浜市
製作(製造)年 1984
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/01/01
種類 その他(カタログ)
製作者(社)等 株式会社日立製作所
資料公開状況
特徴 (1)業界初のテレビ内蔵ゴーストキャンセラ。従来,ゴースト除去装置の製品化例はあったが,除去範囲が狭い上に,部品数も非常に多く,外付タイプの形態にとどまっていた。これを以下の技術により低コスト化,小型化し,業界で初めてテレビ内蔵を実現した。(2)この技術は,その後のEDTV(Extended Definition Television)技術へ展開され,地上波の画質向上に大きく貢献した。

超薄型投射型ワイドテレビ「ビックリスリム39」 C39-WE40

資料番号 100210021356
情報所有館 国立科学博物館
所在等 株式会社日立製作所 AV事業部
所在地 横浜市
製作(製造)年 1994
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/01/01
種類 量産品
製作者(社)等 株式会社日立製作所
資料公開状況
特徴 (1)超薄型投射型テレビ市場を創出。薄型家具と同じ奥行き(39.5cm)と壁にぴったりつけて設置できる省スペース性を実現し,大画面テレビの一般家庭への普及を可能にした。(2)従来の投写型テレビの暗い画面のイメージを払拭する,広い視野角で明るく鮮 明な画面を実現。(3)分解しやすい構造やリサイクル可能な素材を採用した地球環境に優しい,インテリアに調和する新デザイン。

テープナビ機能付きVTR「7B-BS65」 7B-BS65

資料番号 100210021357
情報所有館 国立科学博物館
所在等 株式会社日立製作所 映像情報メディア事業部
所在地 ひたちなか市
製作(製造)年 1994
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/06/29
種類 量産品
製作者(社)等 株式会社日立製作所
資料公開状況
特徴 (1)テープの内容を一発表示。(2)高画質。VTR使用上の「録画番組内容の検索・頭出し」に対する顧客の不満を解消するため、平成6年に日立独自の“テープナビ”機能を搭載したVTRを発売した。その後、テープナビの使い勝手を毎年向上し、平成10年6月には累計100万台を達成した。

光伝送カメラ VM-H80

資料番号 100210021358
情報所有館 国立科学博物館
所在等 株式会社日立製作所 映像情報メディア事業部
所在地 ひたちなか市
製作(製造)年 1995
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類 量産品
製作者(社)等 株式会社日立製作所
資料公開状況
特徴 Hi8方式ビデオカメラ。 カメラ、本体と光通信受光部間で赤外線による映像・音声の送信が行える。世界初の民生ビデオカメラ。 これにより,カメラをTVやVTRにその都度ケーブルで接続すること無く映像の再生が可能となった。 この後、他社で同様の機能が,ビデオカメラ及びデジタルスチルカメラ等で採用されている。

ミリ波測定器

資料番号 100210021359
情報所有館 国立科学博物館
所在等 日立電子株式会社 技術管理部
所在地 小平市
製作(製造)年 1956
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類
製作者(社)等 日立電子株式会社
資料公開状況
特徴 (1)ミリ波帯用の衛星通信,電波天文,プラズマ診断,物性研究などの基礎研究に寄与した。(2)30G~170GHzにわたる各種測定器。・電力,周波数,インピーダンスといった基本量の測定はもとより,各種コンポーネントをそろえ,基礎研究に寄与し,科学技術の発展に貢献した。(3)米ベル研究所,NASAなど,世界に輸出。・日本電信電話公社をはじめ,国内の研究機関だけでなく,米ベル電話研究所,NASA等,世界的な研究機関へ輸出し,世界の科学技術の発展に寄与した。

放送用スローモーションVTR

資料番号 100210021360
情報所有館 国立科学博物館
所在等 日立電子株式会社 技術管理部
所在地 小平市
製作(製造)年 1964
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類 設計図・文献
製作者(社)等 日立電子株式会社
資料公開状況
特徴 (1)スローモーションVTRおよびそのトランジスタ化(NHKと共同開発)。・世界初のスローモーションVTR:東京オリンピックで使用された。・その後の放送用民生用VTRのトランジスタ化を推進する契機となった。(2)4ヘッドVTRの国産化。・国産化の成功によって,テレビ放送業界のVTR普及に寄与した。・その後の磁気録画技術発展の契機となった。

3電極方式単管カラーカメラ「FP-3030」

資料番号 100210021361
情報所有館 国立科学博物館
所在等 日立電子株式会社 技術管理部
所在地 小平市
製作(製造)年 1975
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類 設計図・文献
製作者(社)等 日立電子株式会社
資料公開状況
特徴 (1)民生用単管カラーカメラの開発。・画期的なカラー再現方式による単管方式カラー撮像管を開発した。・この撮像管を使用して,安定で高画質な初の民生向けの実用的なポータブルカメラを製品化した。・この結果,現在のカメラ一体型VTRの発展に大きく寄与した。(2)先端技術による社会的貢献に対し,日立グループとして1976年度に米国IR-100賞を授賞した。

超高感度カラーカメラ「ハーピコンカメラ」 SK-H5

資料番号 100210021362
情報所有館 国立科学博物館
所在等 日立電子株式会社 技術管理部
所在地 小平市
製作(製造)年 1989
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類 試作品
製作者(社)等 日立電子株式会社
資料公開状況
特徴 (1)新開発の超高感度撮像管「ハーピコン」を使用した超高感度カメラ。・従来撮像が不可能な低照度シーンの高画質カラー動画の撮影が可能になった。・ハイジャック報道など緊急かつ照明不可能な特殊撮影に威力を発揮している。(2)「ハーピコン」の特長(超高感度,高解像度)を生かした高感度ハイビジョンカメラの応用製品化も実現。

カラーディジタルオシロスコープ「VC-5430」

資料番号 100210021363
情報所有館 国立科学博物館
所在等 日立電子株式会社 技術管理部
所在地 小平市
製作(製造)年 1993
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類 量産品
製作者(社)等 日立電子株式会社
資料公開状況
特徴 (1)世界初のカラー表示の小型ディジタルオシロスコープである。(2)TFT-LCD(CFLバックライト付)による波形表示,高速更新。(3)ノートブック型の斬新なデザイン,自動化による操作性改善。(4)小型軽量(内蔵電池含め2Kg)で携帯容易なため,保守や研究室外での測定作業に適す。

放送用ディジタルカメラ「SK-2000」

資料番号 100210021364
情報所有館 国立科学博物館
所在等 日立電子株式会社 技術管理部
所在地 小平市
製作(製造)年 1993
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/09/11
種類 試作品
製作者(社)等 日立電子株式会社
資料公開状況
特徴 (1)テレビカメラの輪郭強調,色補正,ガンマ補正等をすべディジタル化し,高機能・高画質を実現した。(2)1995年には既存のカメラケーブルを用いた,カメラヘッドとコントロールユニット間のディジタル伝送を実現し,さらなる高画質・無調整・高安定化を達成した。

連続蒸着機によるNi-CrハイブリッドICの開発

資料番号 100210021365
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1970
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 白川 達夫(富士通東和エレクトロン株式会社 代表取締役社長)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)世界で初めてNi-Cr合金の抵抗体薄膜をIn-Line方式の連続蒸着機で量産に成功した薄膜ハイブリッドIC。・抵抗加熱の蒸着ではなく,電子銃を使用する薄膜形成法。・材料を切らすことなくフィード(供給)した。・金属マスクを使用していないため,化学処理が不要で安価な方式。(2)当時としては小型のICであったため,当社のメインコンピュータの各種端末機器を接続するインタフェースIC(ドライバ/レシーバ)を採用し,コンピュータの発展に寄与。

バイポーラ・ゲートアレイ開発 MB11K

資料番号 100210021366
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1973
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 増永 彦太郎(富士通デバイス株式会社 代表取締役社長)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)世界最初の全LSI化大型コンピュータ「M-190」を実現できた。(2)他品種対応のゲートアレイ方式(100ゲート搭載)。(3)ECL(Emitter Coupled Logic)回路を採用し,ゲート遅延時間tpd=700psを実現。(4)CAD技術の大幅採用(自動設計,Function Test, Delay)。(5)多ピン(84ピン)セラミックPKGの採用。

GaAsパワーFET Mesh Source Type Microwave Power FET(ISSCC論文名)

資料番号 100210021367
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1973
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 福田 益美(富士通カンタムデバイス株式会社 代表取締役社長)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)世界初のGaAsパワーFET。・出力電力1.6W,効率30%(2GHz)。(2)TWT(進行波管)を置き換えられる3端子素子として注目を集めた。(3)その後のマイクロ波地上および衛星通信の送信装置に使用されてきている。(4)装置の固定化が可能となり,信頼度の高い通信網が実現できた。

CMOSゲートアレイ MB60K

資料番号 100210021368
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1978
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 星川 龍輔(取締役 LSI事業本部 副本部長)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)大規模ゲートを搭載したCMOSゲートアレイとして世界初の製品。・CMOS ASIC(Application Specific IC)の先駆的製品である。(2)従来,カスタムLSIでは開発に数カ月も要していたが,このゲートアレイは下記の特徴によって開発期間の大幅短縮と確実な開発を実現した。・LSI設計用CADシステムによる大幅な自動化。・配線工程だけで各顧客に応じた回路使用を実現。(3)メタル2層配線技術を適用した2000ゲート,3900ゲート製品を皮切りに,メタル3層配線技術を適用した2万ゲート(1984年発表)までをシリーズ化。(4)2万ゲートではSRAMをエンベッデドした(組み込んだ)タイプも用意。

HEMT発明 高電子移動度トランジスタ 特許第1409643号

資料番号 100210021369
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1979
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 三村 高志(株式会社富士通研究所)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)HEMT(High Electron Mobility Transistor)は,新しい原理・構造をもつトランジスタ。・これまでに実用化された半導体デバイスの中で,最も優れた高速・高周波性能を実現したデバイス。(2)GaAs,AlGaAs等を組み合わせたヘテロ構造の通常のトランジスタ構造と異なり,電子が走行する層に不純物を添加する必要がないため,電子のスピードを飛躍的に高くできることを実証した。(3)HEMTは衛星放送受信用の低雑音デバイスとして,国内外の多くの企業で商品化され,衛星放送を世界的に普及させる原動力となった。(4)最近では携帯電話やPHSの基地局,GPSを利用したカーナビゲーションシステム等にも使用され,各種無線システムに必須のデバイスにまで成長した。

Ge-APD(1.3μm帯) FPD140M

資料番号 100210021370
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1979
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 金田 隆夫(FCSI(Fujitsu Compound Semiconductor, Inc.))
資料公開状況 非公開
特徴 (1)世界初の商品化(APD:Avalanche Photo-Diode)。(2)高感度,高信頼性特性(低過剰雑音,低暗電流,高速応答)。(3)400M~1.6Gビット/秒の1μm帯光通信の陸上/海底システムに広く使用され,昭和50年代における1μm帯光通信システムの構築に大きく寄与した。(4)発売後5年ほどは独占状態であった。

PLL(Phace Locked Loop)発売 MB1501

資料番号 100210021371
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1981
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 鈴木 裕一(LSI事業本部第2システムLSI事業部)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)個別製品から複合製品まで着実に開発ロードマップを歩んでいる。(2)消費電流や動作周波数等世界トップの性能を実現している。(3)移動体通信市場においては世界の標準品となった。

64KビットEPROM MBM27C64

資料番号 100210021372
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1982
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 樋口 光雄(LSI事業本部DRAM事業部)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)従来のnMOS EPROMとの互換性を保ちながらCMOSの特徴である低消費電力を実現した。(2)高集積,高性能のCMOS EPROMが実現可能であることを実証し,その後のEPROMのCMOS化への先駆的製品となった。

1MビットDRAM MB811000

資料番号 100210021373
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1985
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 竹前 義弘(LSI事業本部DRAM事業部)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)従来平面的に構成されていたDRAMセルを初めて立体構造として製品化することに成功した。(2)これ以降,立体的セル構造が一般に使用されるようになり,DRAMの高集積化に大きく貢献した。

携帯電話用GaAs FETモジュールの商品化 FMC080902-01

資料番号 100210021374
情報所有館 国立科学博物館
所在等 富士通株式会社 電子デバイス事業推進本部
所在地 川崎市
製作(製造)年 1987
調査機関団体 社団法人 日本電子機械工業会
調査票記入日 1998/08/20
種類 設計図・文献
製作者(社)等 平野 裕(富士通カスタムデバイス株式会社)
資料公開状況 非公開
特徴 (1)世界で初めてGaAs FETを使った携帯電話送信用モジュールを商品化。(2)低電力・高効率・小型・軽量である。動作電圧:6V、効率:60%、大きさ:3.2cc、重さ:4g、出力電力:32dBm、周波数範囲:890M~915MHz、
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