| 資料番号 | 113611610019 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1965 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | IC露光装置の交換用ランプとして開発。輝点が小さく、紫外域の輝線スペクトルが安定していることから、取扱いや光学設計が容易となり、多くの国内半導体メーカーに採用された。このランプは、その後にトップシェア製品となった「USH-350D」をはじめ、「ディープUVランプ」「SUVランプ」など、露光用光源の技術ベースとなる。 |
| 資料番号 | 113611610020 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1966 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 超高圧水銀ランプの光をミラーとコンデンサレンズで集光し、コリメータレンズで平行光に変え、高輝度で均一な光を取り出す。ICのフォトリソグラフィ研究が精力的に行われていた国内半導体メーカー各社に、安価で手軽さが評価され、露光装置の代用機として簡便な実験に使われた。 |
| 資料番号 | 113611610021 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1968 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 世界初の投影方式の露光装置。フォトマスクの図形を投影レンズを使ってウエハー上に等倍で投影し、一括して焼付ける。当時のウエハーサイズは１～1.5inch、フォトマスクの最小線幅は5～10μm。これに対して、本装置の解像力はφ30～φ40mmイメージフィールドで5～8μm以内。焦点深度は±40μm、位置合わせ精度は±3μm、露光時間は20～30秒であった。 |
| 資料番号 | 113611610022 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1976 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 露光装置メーカーの要請に応えて開発。IC焼付け用として定着していた350W超高圧水銀ランプに比べ、より短波長である230～320nmの遠紫外光を放射し、ランプ出力も500Wに高めた。これにより、LSI、超LSIへの微細化、高集積化に対応した。 |
| 資料番号 | 113611610023 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1977 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | ランプ出力をこれまでの500Wから1kW、2kWにパワーアップし、ウエハー基板の焼付け時間を数分から数十秒に短縮した。この大出力化技術は、のちの半導体フォトリソグラフィ用ランプやプリント基板露光用ランプの高照度化の基礎となる。 |
| 資料番号 | 113611610024 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1982 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | ハロゲンヒータランプは、高効率でクリーンなエネルギー、急速高温加熱が可能、長寿命で安定したエネルギー放射など、ハロゲンランプの特長を活かした加熱用ランプである。HHシリーズは、これらに加え、加熱の均一性、エネルギー制御の素早さ、取扱いの簡便性などがアメリカの大手半導体製造装置メーカーに評価され、シリコンエピタシャル結晶膜成長装置の光加熱源として採用された。 |
| 資料番号 | 113611610025 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1983 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 半導体や水晶振動子の表面に付着した微細な有機化合物を、低圧水銀ランプの紫外線を使って分解、気化させて取り除く。世界初のドライ洗浄装置として注目を集めた。この光洗浄法は、のちに液晶パネル製造の標準プロセス設備として定着した、エキシマランプによるVUV/O3洗浄装置の基礎となる。 |
| 資料番号 | 113611610026 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1985 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 超LSIの微細な回路パターンを正確にエッチングできるようにするため、あらかじめレジストを硬化させる。強力で均一な遠紫外線の照射によって、短時間でレジストの変形やダレを防ぎ、高精度に回路パターンを保つ。ウエハー自動搬送系やコンピュータ制御系の装備や、プロセスノウハウの提供により、日本、韓国、台湾で80％のマーケットシェアを獲得した。 |
| 資料番号 | 113611610027 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1989 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 1980年代中ごろ、生産性の向上が重要課題となっていた4M、16Mビットの半導体製造ラインでは、パーティクルとなるレジスト飛散が大きな問題となる。本装置は、ウエハー周辺部の不要なレジストを紫外線によって除去し、不良品の低減、工程のクリーン化に寄与した。 |
| 資料番号 | 113611610028 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ウシオ電機株式会社 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1991 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/31 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | ウシオ電機株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 64Mビット、256Mビットと進む半導体の微細化、高集積化に対応するため、業界に先駆けて開発。従来のランプと異なり、ｉ線を主波長としている。また、1999年から2001年にかけて、さらに照度を20％高めた高照度タイプと、照度の減衰を抑えた高維持率タイプを開発。ランプ出力においても2.5kWから5kWまでラインナップし、以降、半導体メーカーの生産性の向上に応えている。 |
| 資料番号 | 113611610029 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 芝浦メカトロニクス株式会社 |
| 所在地 | 横浜市 |
| 製作(製造)年 | 1977 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/11/26 |
| 種類 | その他（カタログ） |
| 製作者(社)等 | 株式会社徳田製作所（現 芝浦メカトロニクス株式会社） |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | ケミカルドライエッチング装置 (Chemical Dry Etching System 略名：CDE）は、日本のドライエッチング装置製造会社として徳田製作所が海外へ初めて輸出した装置です（1979年７月25日付日経産業新聞の記事より）。装置内にあるウェハーとマイクロ波で発生したプラズマが離れているため、ウェハーへプラズマダメージが少ないエッチング方法を特徴としています。 |
| 資料番号 | 113611610030 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ |
| 所在地 | ひたちなか市 |
| 製作(製造)年 | 1984-2009 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/11/18 |
| 種類 | 模型 |
| 製作者(社)等 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ |
| 資料公開状況 | 非公開 |
| 特徴 | 半導体製造プロセスにおいて、加工された微細パターン寸法を管理するために使用される電子顕微鏡（通称 測長SEM（SEM:Scanning Electron Microscope）やCD-SEM（CD:Critical Dimension）と呼ばれる）の1/8レプリカ。 |
| 資料番号 | 113611610031 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | ＣＫＤ株式会社 春日井工場 |
| 所在地 | 春日井市 |
| 製作(製造)年 | 1992 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/11/27 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | ＣＫＤ株式会社 |
| 資料公開状況 | 非公開 |
| 特徴 | エッチャー装置やCVD装置等半導体製造装置のガス供給部は配管が大きく入り組んでいたり、溶接箇所も多くコンタミ（不純物）の原因となっていました。ガス供給ラインを構成するパーツを標準化することにより配管をシンプルにし、溶接箇所を極力削減したためコンタミの発生はほぼ無くなりました。またパーツの標準化に当たっては組立性を考慮した設計とし、組立やメンテナンスの時間削減にも寄与しました。 |
| 資料番号 | 113611610032 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | キヤノン株式会社 宇都宮光学機器事業所 |
| 所在地 | 宇都宮市 |
| 製作(製造)年 | 1978 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/11/27 |
| 種類 | その他（カタログ） |
| 製作者(社)等 | キヤノン株式会社 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | PLA501FAは 5インチウェーハ対応 近接(Proximity)方式の半導体露光装置として量産された。世界ではじめてレーザービーム走査の実用的な自動位置合わせ(オート・アライメント)機構とウエハー自動搬送機構(オートフィーダー)を搭載し、高い信頼性と生産性を提供した。PLA-500シリーズとして1978年から1995年までに 約2500台が生産された。 |
| 資料番号 | 113611610033 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 株式会社 新川 |
| 所在地 | 武蔵村山市 |
| 製作(製造)年 | 1977 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/11/27 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | 株式会社 新川 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 全自動ワイヤボンダSWB-FA-UT-3は、当社開発のマイクロコンピュータと検出器を搭載することにより、制御と位置補正の自動化に成功。世界初の完全無人機として、従来の手動ボンダに比べて10倍の生産性を実現。1982年には、米国、半導体製造機器・材料関連会社の業界団体であるSEMIから、同装置の開発が半導体産業の一大技術革新として表彰された。 |
| 資料番号 | 113611610034 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 荏原製作所 精密・電子事業ｶﾝﾊﾟﾆｰ |
| 所在地 | 藤沢市 |
| 製作(製造)年 | 2000 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/09/25 |
| 種類 | 試作品 |
| 製作者(社)等 | 荏原製作所 |
| 資料公開状況 | 非公開 |
| 特徴 | ドライイン/ドライアウトをコンセプトとした200mm対応のCMP装置で、ウェーハの研磨処理部と研磨後の洗浄・乾燥処理部を一体化することで、他の半導体製造装置と同様にクリーンルームに設置可能な装置として開発され、多様なCMP プロセスに対応可能なハイスループット型クリーンCMP 装置として、多くのユーザーに採用いただいている。 |
| 資料番号 | 113611610035 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 荏原製作所 精密・電子事業ｶﾝﾊﾟﾆｰ |
| 所在地 | 藤沢市 |
| 製作(製造)年 | 1985 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/09/25 |
| 種類 | 複製（レプリカ） |
| 製作者(社)等 | 荏原製作所 |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 荏原製作所が半導体製造装置向けに開発したドライ真空ポンプ初期型である。最大排気速度7000L/min、到達圧力0.5Paの性能を有したルーツ形で、3段メインポンプ（3.7kW）と3段ブースタポンプ（2.2kW）を組合せている。動力源は汎用モータで、オイルシールによる軸封機構を設けている。本ポンプは、半導体製造メーカにおいてエッチャー等の実使用環境下での評価を実施し製品化に至った。 |
| 資料番号 | 113611610036 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 株式会社 国際電気セミコンダクターサービス サービス本部 サービス営業部 |
| 所在地 | 千代田区 |
| 製作(製造)年 | 1982 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/09/30 |
| 種類 | 設計図・文献 |
| 製作者(社)等 | 国際電気株式会社（現 株式会社 日立国際 電気） |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 半導体デバイスの製造の基本となるシリコン単結晶引上装置の全自動化装置国産第1号機。海外製自動化装置が発表される中で、国内の結晶育成オペレータの意見が反映され、海外製装置の欠点を補い、高生産性を誇る装置となった。構造的にもワイヤーを引き上げ軸に採用するなど、斬新な設計が行われている。現在の国産シリコン引上装置のディファクトスタンダードモデル。シリコン単結晶サイズは、６インチ～８インチまで育成可能であった。 |
| 資料番号 | 113611610037 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 株式会社 国際電気セミコンダクターサービス 上市事業所 |
| 所在地 | 中新川郡上市町 |
| 製作(製造)年 | 1961 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/17 |
| 種類 | 写真 |
| 製作者(社)等 | 国際電気株式会社（現 株式会社 日立国際 電気） |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | 1961年8月、国産一号機であるシリコン単結晶性能測定用の比抵抗測定器を開発・発売した。ウェハーサイズ10ｍｍ用の比抵抗測定器。その後ウェハ－大口径化に伴いシリーズ化され、現在12インチ用測定器に至る。8インチ用（VR-70）から自動化が進み、移載機付も開発・販売している。販売台数はRM1から始まり、現在のVR300DSEまでシリーズ累計で1965台となる。 |
| 資料番号 | 113611610038 |
|---|---|
| 情報所有館 | 国立科学博物館 |
| 所在等 | 株式会社 日立国際電気 電子機械事業部 富山工場 |
| 所在地 | 富山市 |
| 製作(製造)年 | 1971 |
| 調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
| 調査票記入日 | 2014/10/07 |
| 種類 | 量産品 |
| 製作者(社)等 | 国際電気株式会社（現 株式会社 日立国際 電気） |
| 資料公開状況 | 公開 |
| 特徴 | ＤＣ－５２００エピタキシャル装置は技術の革新、変化に顕著な役割を果たした装置である。従来のように石英ベルジャーを設置する構造から水冷式外部ステンレスベルジャーに密着出来る構造とし当時の技術課題であった膜厚均一性、抵抗率均一性、結晶欠陥の制御他を解決し、量産装置として全ての材料ガスに対応可能とし安全性、信頼性をも両立した装置であり、昭和５９年に第２６回科学技術長官賞（功労賞）を受賞した。 |