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1985年、世界で初めてカラーレーザー顕微鏡2LM11を発売した。共焦点光学系にヘリウム・ネオン・レーザー（波長633nmの赤色）とアルゴン・レーザー（波長488nmの青色と515nmの緑色に分波）を加え、RGBの3本で構成した走査型顕微鏡である。フルカラーでかつ高速な観察能力は研究開発や品質管理の場で活躍した。
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日本初ウェーハダイシングマシンの1号機。3インチウェーハ対応。洗浄装置を備える。薄いブレード(刃)を高速回転させて水を流しながら切る方式を採用。チップ分割工程の精度と能率の向上に貢献。
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日本国内初のウェーハプロービングマシン1号機。日本全ての半導体メーカーに納入された。個々の素子の電気特性を自動的にチェックし選別できることになり作業の省力化・効率化に貢献。
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半導体製造の高効率化を実現させた。アメリカ国内でも開発されていなかったため、1958年のシカゴ国際見本市で高い評価を受ける。1960年に「日本機械学会賞」受賞。
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JBX-6Aは世界で最初に商品化された加速電圧20kVの可変面積型の電子ビーム描画装置である。可変面積型電子ビームを用いる事により従来のスポット型電子ビーム描画装置と比較して飛躍的に描画速度を向上させる事ができた。現在の半導体素子生産に不可欠であるスク製作用電子ビーム描画装置は可変面積型電子ビーム方式が採用されており、JBX-6Aはマスク製作用電子ビーム描画装置開発に貢献する機械の先駆けとなった。
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パターン付きウェーハの外観検査装置。OSI社から技術導入し、当事、東レ株式会社が開発。INSPECTRA1000は国産化した東レ初のオリジナルモデル。2000年に東レエンジニアリング（株）へ事業移管されたあとも、INSPECTRAシリーズは新機種開発を継続し、現在も販売中。
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１９９９年時点で世界最高の精度であるサブミクロンレベルのアライメントを実現したボンダー。光学素子の実装用に開発され、±０．５μｍ＠３σのアライメント精度を達成したが、この装置のために開発された高精度実装のための諸技術が、その後の高精度ボンダーの基礎となった。
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複数の樹脂注入機構を持つ金型方式のマルチプランジャ金型と分岐された複数のプランジャ、ポットおよび注入機構が下型に設けられ、プランジャを常時金型内に嵌装させることが可能となったロアプランジャ方式により、モールド工程のフルオート化が実現。半導体チップを１サイクル１分以内で樹脂封止した。
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コンプレッションモールド（下型の金型に樹脂を溶かし込み、上から封止したい基板を樹脂の中に浸し、型で固めてしまうという原理）成形をダブルレイヤ（1枚の薄い板をくり抜いたフレーム(ホールドフレーム方式）でプレスを構成）で行う。ゲートやランナがいらないため、無駄な樹脂を捨てることなく、100％樹脂利用できる。また、装置全体の小型化と省エネルギーを実現。
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モールディングプレスのモジュール化により、１モジュール（１ヘッド２フレーム）から最大４モジュール（４ヘッド８フレーム）が連結。業界最高速の16秒のマシンサイクル実現。モールディングできるリードフレームの長さ100～260mm、幅15～75mm、小径タブレットφ13～φ20の成形材料が使える。金型構造は材料効率90％のマルチプランジャ方式。
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IC露光装置の交換用ランプとして開発。輝点が小さく、紫外域の輝線スペクトルが安定していることから、取扱いや光学設計が容易となり、多くの国内半導体メーカーに採用された。このランプは、その後にトップシェア製品となった「USH-350D」をはじめ、「ディープUVランプ」「SUVランプ」など、露光用光源の技術ベースとなる。
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超高圧水銀ランプの光をミラーとコンデンサレンズで集光し、コリメータレンズで平行光に変え、高輝度で均一な光を取り出す。ICのフォトリソグラフィ研究が精力的に行われていた国内半導体メーカー各社に、安価で手軽さが評価され、露光装置の代用機として簡便な実験に使われた。
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世界初の投影方式の露光装置。フォトマスクの図形を投影レンズを使ってウエハー上に等倍で投影し、一括して焼付ける。当時のウエハーサイズは１～1.5inch、フォトマスクの最小線幅は5～10μm。これに対して、本装置の解像力はφ30～φ40mmイメージフィールドで5～8μm以内。焦点深度は±40μm、位置合わせ精度は±3μm、露光時間は20～30秒であった。
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露光装置メーカーの要請に応えて開発。IC焼付け用として定着していた350W超高圧水銀ランプに比べ、より短波長である230～320nmの遠紫外光を放射し、ランプ出力も500Wに高めた。これにより、LSI、超LSIへの微細化、高集積化に対応した。
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ランプ出力をこれまでの500Wから1kW、2kWにパワーアップし、ウエハー基板の焼付け時間を数分から数十秒に短縮した。この大出力化技術は、のちの半導体フォトリソグラフィ用ランプやプリント基板露光用ランプの高照度化の基礎となる。
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ハロゲンヒータランプは、高効率でクリーンなエネルギー、急速高温加熱が可能、長寿命で安定したエネルギー放射など、ハロゲンランプの特長を活かした加熱用ランプである。HHシリーズは、これらに加え、加熱の均一性、エネルギー制御の素早さ、取扱いの簡便性などがアメリカの大手半導体製造装置メーカーに評価され、シリコンエピタシャル結晶膜成長装置の光加熱源として採用された。
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半導体や水晶振動子の表面に付着した微細な有機化合物を、低圧水銀ランプの紫外線を使って分解、気化させて取り除く。世界初のドライ洗浄装置として注目を集めた。この光洗浄法は、のちに液晶パネル製造の標準プロセス設備として定着した、エキシマランプによるVUV/O3洗浄装置の基礎となる。
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超LSIの微細な回路パターンを正確にエッチングできるようにするため、あらかじめレジストを硬化させる。強力で均一な遠紫外線の照射によって、短時間でレジストの変形やダレを防ぎ、高精度に回路パターンを保つ。ウエハー自動搬送系やコンピュータ制御系の装備や、プロセスノウハウの提供により、日本、韓国、台湾で80％のマーケットシェアを獲得した。
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1980年代中ごろ、生産性の向上が重要課題となっていた4M、16Mビットの半導体製造ラインでは、パーティクルとなるレジスト飛散が大きな問題となる。本装置は、ウエハー周辺部の不要なレジストを紫外線によって除去し、不良品の低減、工程のクリーン化に寄与した。
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64Mビット、256Mビットと進む半導体の微細化、高集積化に対応するため、業界に先駆けて開発。従来のランプと異なり、ｉ線を主波長としている。また、1999年から2001年にかけて、さらに照度を20％高めた高照度タイプと、照度の減衰を抑えた高維持率タイプを開発。ランプ出力においても2.5kWから5kWまでラインナップし、以降、半導体メーカーの生産性の向上に応えている。
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ケミカルドライエッチング装置 (Chemical Dry Etching System 略名：CDE）は、日本のドライエッチング装置製造会社として徳田製作所が海外へ初めて輸出した装置です（1979年７月25日付日経産業新聞の記事より）。装置内にあるウェハーとマイクロ波で発生したプラズマが離れているため、ウェハーへプラズマダメージが少ないエッチング方法を特徴としています。
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半導体製造プロセスにおいて、加工された微細パターン寸法を管理するために使用される電子顕微鏡（通称 測長SEM（SEM:Scanning Electron Microscope）やCD-SEM（CD:Critical Dimension）と呼ばれる）の1/8レプリカ。
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エッチャー装置やCVD装置等半導体製造装置のガス供給部は配管が大きく入り組んでいたり、溶接箇所も多くコンタミ（不純物）の原因となっていました。ガス供給ラインを構成するパーツを標準化することにより配管をシンプルにし、溶接箇所を極力削減したためコンタミの発生はほぼ無くなりました。またパーツの標準化に当たっては組立性を考慮した設計とし、組立やメンテナンスの時間削減にも寄与しました。
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PLA501FAは 5インチウェーハ対応 近接(Proximity)方式の半導体露光装置として量産された。世界ではじめてレーザービーム走査の実用的な自動位置合わせ(オート・アライメント)機構とウエハー自動搬送機構(オートフィーダー)を搭載し、高い信頼性と生産性を提供した。PLA-500シリーズとして1978年から1995年までに 約2500台が生産された。
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全自動ワイヤボンダSWB-FA-UT-3は、当社開発のマイクロコンピュータと検出器を搭載することにより、制御と位置補正の自動化に成功。世界初の完全無人機として、従来の手動ボンダに比べて10倍の生産性を実現。1982年には、米国、半導体製造機器・材料関連会社の業界団体であるSEMIから、同装置の開発が半導体産業の一大技術革新として表彰された。
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ドライイン/ドライアウトをコンセプトとした200mm対応のCMP装置で、ウェーハの研磨処理部と研磨後の洗浄・乾燥処理部を一体化することで、他の半導体製造装置と同様にクリーンルームに設置可能な装置として開発され、多様なCMP プロセスに対応可能なハイスループット型クリーンCMP 装置として、多くのユーザーに採用いただいている。
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荏原製作所が半導体製造装置向けに開発したドライ真空ポンプ初期型である。最大排気速度7000L/min、到達圧力0.5Paの性能を有したルーツ形で、3段メインポンプ（3.7kW）と3段ブースタポンプ（2.2kW）を組合せている。動力源は汎用モータで、オイルシールによる軸封機構を設けている。本ポンプは、半導体製造メーカにおいてエッチャー等の実使用環境下での評価を実施し製品化に至った。
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半導体デバイスの製造の基本となるシリコン単結晶引上装置の全自動化装置国産第1号機。海外製自動化装置が発表される中で、国内の結晶育成オペレータの意見が反映され、海外製装置の欠点を補い、高生産性を誇る装置となった。構造的にもワイヤーを引き上げ軸に採用するなど、斬新な設計が行われている。現在の国産シリコン引上装置のディファクトスタンダードモデル。シリコン単結晶サイズは、６インチ～８インチまで育成可能であった。
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1961年8月、国産一号機であるシリコン単結晶性能測定用の比抵抗測定器を開発・発売した。ウェハーサイズ10ｍｍ用の比抵抗測定器。その後ウェハ－大口径化に伴いシリーズ化され、現在12インチ用測定器に至る。8インチ用（VR-70）から自動化が進み、移載機付も開発・販売している。販売台数はRM1から始まり、現在のVR300DSEまでシリーズ累計で1965台となる。
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ＤＣ－５２００エピタキシャル装置は技術の革新、変化に顕著な役割を果たした装置である。従来のように石英ベルジャーを設置する構造から水冷式外部ステンレスベルジャーに密着出来る構造とし当時の技術課題であった膜厚均一性、抵抗率均一性、結晶欠陥の制御他を解決し、量産装置として全ての材料ガスに対応可能とし安全性、信頼性をも両立した装置であり、昭和５９年に第２６回科学技術長官賞（功労賞）を受賞した。
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拡散・ＣＶＤ装置の熱成膜プロセスにおいて、高い成膜均一性能と生産性及び高コストパフォーマンスした初の量産装置である。それまで主力であった横型装置から縦型装置への置換えが進みデバイスの微細化に大きく貢献した。ウェーハの工程間の自動搬送にも対応し、クリーンルーム内の無人化による無塵化にも大きく貢献した。現在の300㎜対応縦型拡散・ＣＶＤ装置にも受け継がれる基本機能・技術を網羅した装置であった。
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コーターデベロッパーは半導体製造のフォトリソグラフィ工程においてウェハ上に感光液を塗布し、リソグラフィ装置による回路パターン転写の後、現像する装置です。 1988年発売のCLEAN TRACK MARK Vはウェハ搬送機構を従来のベルト搬送から高効率ロボットアーム方式に切り替え、装置の革新的な高生産性化、省スペース化を実現した装置です。 現在の先進的なコーターデベロッパー装置の先駆となる装置です。
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アメリカで生まれ発展を遂げつつあった新しい半導体蝕刻法であるドライエッチング技術（液体侵潤式に代わる、プラズマを応用した新しい蝕刻法）。 その技術を初めて純国産化したのがTEL酸化膜エッチャーTE5000 です。 装置内のウェハ搬送を従来のベルト式からより発塵の少ないロボットアーム式に改めるなどハードウェア的な新機軸も盛り込み、当時世界を圧倒していた日本半導体産業の中で高い評価と市場シェアを有していました。
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拡散炉は半導体製造工程の初期において、ウェハに酸化膜や窒化膜を形成する装置です。 1975年に当時、米国THERMCO（サームコ）社と東京エレクトロンのジョイントベンチャーであったテル・サームコ社（現・東京エレクトロン東北㈱）から発売された横型四段拡散炉BRUTE XL。 日本で初めてボートローダとエレベータのメカニズムを含むウェハ処理の全工程を自動化し、拡散工程における飛躍的な生産性の向上を実現しました。
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東京エレクトロン・フルオートプローバ―『２０S』 プローバ―（Prober）は、半導体製造工程においてウェハをチップに切り出す直前の最終検査工程で使用されます。 従来時間と手間がかかっていたプローバ―装置上でのウェハアライメントに画期的な画像処理技術を採用し全自動化。 また省スペースながら100枚一括検査を可能にし飛躍的に生産性を向上させました。
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東京エレクトロン・プラズマ酸化・窒化装置 『Trias SPA』 ウェハの超微細加工のためにプラズマを利用して超高精度の酸化・窒化を行う装置。プラズマ源に東北大学が開発した画期的なRLSA(Radial Line Slot Antenna)技術を世界で初めて採用しプラズマ衝撃によるウェハへのダメージを大幅に低減しました。産学官連携の技術開発により平成15年、内閣総理大臣賞を授与されました。
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鋼ペン先が初めて日本に輸入されたのは1871（明治４）年です。鋼ペン先は全て輸入に頼っていたので、ゼブラ（当時名称：石川ペン先製作所）が1897年から研究・開発に着手し、製造技術を独自に開発しました。輸入品に負けない品質の鋼ペン先の製造に成功し、1902（明治35）年には日本で最初に国産品の鋼ペン先を発売しました。
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シャーボはゼブラ(株)が国内で初めて開発した機構です。1本の軸内に搭載されたボールペンとシャープペンを回転作動によって切り替え、シャープ芯の繰り出しをノック動作によって行う構造です。1977（昭和52）年7月に研究・開発に着手し、わずか3ヶ月後の同年11月に発売し、1980年8月には特許登録もされました。「便利性と経済性を兼ね備えた素晴らしい新商品」という消費者、マーケットからの高いご評価をいただきました。
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水性細書きマーカーの先駆け。従来は油性マーカーしかなく、紙に筆記した時は裏写りし使えなかった。独特のなめらかなタッチで世界的に大ヒット。NASAのジェミニ飛行に採用されるなど、様々なエピソードを生む。
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従来の粘度芯に代わる世界初の「合成樹脂」を使用したシャープ芯。樹脂芯にすることにより0.9mmから0.7、0.5、0.4、0.3mmへと細い芯径を可能にし、現在の0.5mmの主流を築いた製品。
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昔から良い筆の製造には質の良い獣毛、腕が立つ筆職人が欠かせなかったが、それらに頼らなくとも良い筆を供給するために、世界初のナイロン毛を使用した毛筆ペン「ぺんてる筆」を開発。
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従来のうすめ液が必要だったハケ式修正液に代わる、世界初のペンタッチ式「ぺんてる修正液」。ペンを押し当てるだけで修正ができ、液が乾燥することもなく細部の修正にも優れ、最後の一滴まで濃度も変わらず使えるという便利さで修正液の主流となった。
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万年筆のペン先は金属であるとの固定観念を打ち破り、独自のプラスチック製のペン先を採用。しなやかでなめらかな書き味を廉価で提供することを実現したプラスチック製万年筆。
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油性ボールペンと水性ボールペンの両方の長所を併せ持つ画期的なボールペンとして開発されたゲルインキボールペン「ハイブリッド」。この製品の登場からゲルインキボールペン市場が一気に広まることになる。
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最初に逓信省に採用された国産鉛筆。局用鉛筆の名称は逓信省管轄下の全国の郵便局で使われたことに由来する。局用とはいえ一般にも販売されていた。芯の硬度は創業時から２Ｂ相当と謳ってきたが、戦後のＪＩＳ規格基準で正確に検証すると３Ｂ相当であった。眞崎鉛筆の創業者は眞崎仁六翁であり、眞崎鉛筆は後の三菱鉛筆である。
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Ｎｏ．９８００は、当時の製図用鉛筆としての機能を完備した鉛筆であった。同時にその特徴は、事務用及び学習用鉛筆としても満足な品質であった。価格も比較的安価なこともあって、現在に至るも幅広いお客様に支持されている。
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ユニは、高級製図用鉛筆を目標に、芯に高純度でしかも微粒子化した粘土及び黒鉛を使用した。材料を均質な微粒子にしたことで、濃くハッキリした黒色の描線が得られ、硬さと滑らかな書き味を両立した。貿易自由化を背景に、海外製品に劣らない最高品質の鉛筆を目指し、大学卒初任給が1万5千円の時代に1本50円で発売。製図用だけでなく、多くの学習児童に愛される鉛筆となった。2007年「新日本様式100選」認定。
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「ユニ」の開発成功を土台に、業界の理想「Ｂの黒さでＨの硬さ」を追求し、欧米の最高級品を凌駕する芯（ハイユニ芯）の開発を目指した。芯の材料微粒子の大小を理想的に配合する「粒度配合」に成功した結果、黒く、濃く、芯の摩耗が驚異的に少ない滑らかな書き味の鉛筆芯が完成した。また、塗装回数もユニより多くして最高級仕様とした。なお2008年より、世界最多となる10B～10Hの22硬度を持つ。
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