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導入技術から自社開発、業界共同開発へと発展した排煙脱硫技術開発の流れの中にあって、単独で焼結炉に設置した我が国最初の設備です。
情報所有館 ： 国立科学博物館 
日本で環境対策を独自技術開発した好例です。導入技術をもとに自社開発した排煙脱硫技術が、さらに業界共同開発へ発展しました。
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一連の排煙脱硫技術開発の流れの中にあって、当時我が国鉄鋼業界コークス炉に設置された最大規模の排煙脱硫設備です。フマックス法を採用し、処理能力2万5000Nm3/h、脱硫率90％、触媒はピクリン酸です。
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導入技術から自社開発、業界共同開発へと発展した排煙脱硫技術開発の流れの中にあって、単独で焼結炉に設置した我が国最初の設備です。
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マレーシアの天然ゴム用途に樹液を採り終えたゴムの木を捨てることなく科学技術・ケミカル技術と接着技術を駆使することで、カビや虫害といったゴムの木の欠点を克服し環境に優しい商品（イースタンオーク集成材）として市場に投入した。その結果、現地マレーシア・ケダ州より経済発展に対する多大の功績が評価され、当時の弊社社長が、勲章を授与された。
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我が社の食塩電解用イオン交換膜「フレミオン」は、電力消費量が少なく、電流効率が高い、省エネルギータイプである。また得られる苛性ソーダの品質が高く、長期間の使用に対する耐久性を持っている。しかも様々な運転条件にも対応できると言った特徴を持ち、日本のみならず世界中のクロアリ会社で愛用されている。
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1982年に、陽極と陰極の間隔を限りなくゼロに近づけ、さらに我が社独自の高性能陰極を採用することで、従来のイオン交換膜法電解槽よりも大幅に電力消費量が少ない省エネルギータイプで、しかも安価でコンパクトである単極式電解槽「AZEC-M3」を開発し、日本のみならず世界中のクロアリ会社で採用され、現在でも稼動し続けている。
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1990年に、導電部材の電気抵抗を可能な限り低減し、陽極と陰極の間隔も近づけ、さらに我が社独自の高性能陰極を採用することで、高電流密度運転に対応でき、従来のイオン交換膜法電解槽より大規模生産に適した複極式電解槽「AZEC-B1」を開発し、日本のみならず世界中のクロアリ会社で採用され、現在でも稼働し続けている。
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明治9年（1876年）に、荒川政七商店（現在の荒川化学）を創業して以来、130年に及ぶ永きにわたりロジン（松脂）を原料とする各種誘導体メーカーとして、独自の技術を確立してきました。ロジンとは松に含まれる樹脂酸を精製して得られる天然樹脂で、地球に優しい再生可能な植物由来の樹脂です。野球のロージンバップ、紙のにじみ止め薬品、印刷インキ用樹脂、粘着・接着剤用樹脂など広範な分野で使用されています。
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プリンタ（複写機含む）用のトナー定着用ランプにおいて、ランプの熱放射効率向上の技術課題を克服し、輻射効率と立ち上がり時間の短縮を図る。上記に伴い、プリンタの待機時余熱を不要にすることで、プリンタのオンデマンド化を可能とし、プリンタ自体の省エネにも大きく貢献。 〈参考〉当製品で年間約85,995tのCO2を削減（製品0.7kwhを年間130万本生産、25,000時間使用した場合の削減量）
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当社は量産性、薄型性にSFBGAパッケージを開発し、1GビットDRAMを積層して組み立てた4GBの大容量メモリモジュールを開発しました。サーバ/ワークステーション等のハイエンド機器分野に適した製品です。個々に封止された1GビットDRAMを積層する構造のため、積層工程前にチップ選別が可能であり、安定した生産性を実現しています。 主な特徴 ・1GビットDDRを36個搭載した4GBメモリモジュール ・DDR2 ４００Mbps/533Mbps ・VDD=1.8V
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90nmプロセスを採用し、高速動作、低消費電力を兼ね備えた、シンクロナスDRAMです。製品系列として512MモバイルRAM(×32/×16）、256MモバイルRAM（×32/×16/×8）、128MモバイルRAM（×32/×16）があり、それぞれSDR/DDRの機能を搭載しております。本製品はロジックやフラッシュメモリなどの製品との積層（MCPやSiP対応）に最適であり、携帯電話やモバイル機器の高性能/高機能化に貢献しています。 主な特徴 ・1.8V低電圧・DDR 166MHz（333Mbps）/SDR 133MHz ・従来比 消費電力 10分の1以下
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「ISO14001環境側面と環境技術」日科技連出版の書籍で、中小建設業がISO14001の規格に適合したシステム構築する上で、環境側面及び環境影響一次評価を同時に実施する事によって、その複雑な抽出手順をできるだけ簡便にして、その作業要員自身が理解して、運用できうる手順とフォーマットを考案した事例である。本著の中でP104～110に渡って掲載されている。
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品名：4IK25A-A（AC小型標準モータ、インダクションモータ）1965年当社Kシリーズとして開発商品化。高いトルクを、より少ない重量で出せるようになり高効率（省エネ、省資源）が図られた。信号用から動力用への小型モータ転換期にAC小型標準モータの定番として、世の中で広くご使用いただいた。 別紙添付（グラフ）当社モータでの出力1W当たりの製品質量の変遷 ・IH7A（1955年）80mm×75mm…1.4kg/7W→200g/7W ・4IH25A-A（1965年）80mm×85mm…1.5kg/15W→60g/W
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1985年の通信自由化を機に、それまで大型電算機で構築されていた大気汚染常時監視テレメータシステム市場に、弊社が自社開発により、パソコン通信技術を活用した省スペース、省コストのシステム商品を国内で初めて投入し、既存市場に鋭く切り込んだ。その後約50自治体に数百台を納入し、大気汚染モニタリングの進化によって環境保全技術に貢献した。
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明治11年、文部省は全国の公立師範学校に米国Ritchie社製の物理器械を公布した。明治15年（1882）島津源蔵は当時島津が保有していた製造技術を持ってRitchie社カタログと同じ図版を使用して理化器械目録表を作成した。
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電気自動車は無公害エンジンとして脱化石燃料時代に向けて注目されているが、島津源蔵は米国デトロイト社製の電気自動車を購入し、自分の手がけた蓄電池を搭載して1946年まで30年間愛用していた。 なお島津創業記念資料館には写真類と模型が展示されており、現物は（株）ジーエス・ユアサに玄関ロビーに保存展示されている。
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水の電気分解により水の成分が水素と酸素から成ることを示す教育用理化学実験器で、電気分解後発生した水素と酸素の燃焼具合も上部のコックを開いて調べることができる。
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ダイキン冷凍機の生みの親である藤岡宏元副社長が、退任後に当社の冷凍空調技術発表の歴史を記録し、後世に残したいとの思いからまとめたものである。 特徴は「冷凍空調の技術発展の歴史をまとめた本」である。A4版上巻343ページ、下巻395ページ。
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我が国の道路事業進展の歴史を概観しつつ創立前史を含む当社の足跡をたどったものである。変換する社会情勢・技術情勢の中で、当社がどのように関わってきたかを、史実に基づいて記録したものである。(1)前史(2)設立から終戦まで(3)経営再建と体制整備(4)道路整備体制確立と高速道路時代(5)道路事業の発展と社業の飛躍(6)先進技術の吸収と周辺技術の開発(7)高度成長時代の終焉と低成長時代への対応(8)終わりなき繁栄をめざしての8章で構成。
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弊社は日本で最初に設立された濾過器専門メーカであり、昭和12年（1937年）弊社の前身である『日本濾過器製作所』でエンジン用濾過器を開発・生産開始した。その代表的製品が『オートクリーン』と呼ばれるもので、当時は『ゼロ戦』にも搭載されていたと聞いている。本品は現在では少量ではあるが、船用等ディーゼルエンジン用濾過器として使用されている。 ※写真は当時のものではなく、同種の現在生産されている製品です。
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国内初、ベース、コレクタ間にパワーツェナーダイオードを内蔵し、ESB耐量を向上させた高耐圧バイポーラトランジスタを開発し、自動車用イグニッションシステムの電子化に貢献した。
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世界初、インバータ回路を構成するトランジスタとダイオードに加え、トランジスタのドライブ回路並びに電流、温度センサーと比較回路を内蔵しトランジスタの保護回路を内蔵した絶縁型モジュールを世界で初めて構成し（500v 30A以上）、パワーエレクトロニクスの発展に貢献。
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国内初、自己分離CMOS/NOMOSプロセスを用いた、過電流・サージ（ESD、L負荷サージ）他に対する保護と状態出力機能、出力段MOSをモノリシック構成したインテリジェントパワースイッチを開発し、自動車用ECUの小型・高性能化に貢献した。
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世界初、モータドライブ用PWMインバータに要求させるコンバータ部ダイオード、ダイナミックブレーキ用、インバータ部IGBT、ダイオードを絶縁型の1つのパッケージで構成した。パワー半導体をすべて内蔵することで装置の小型化、組み立ての工程改善に貢献した。
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世界初、圧接型のIGBTモジュール構造にすることで上下両方向への放熱を可能とし、素子の適用電流を向上させ、大電力及び高圧モータドライブ等での性能向上に貢献した。
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世界初、自己分離NOMOSプロセスを用いた、過電流・サージ（ESD、L負荷サージ）に対する保護機能と出力段MOSをモノリシック構成し、従来の単体MOS、BJTと同じ3端子構成で実現した高機能MOSFETを開発し、自動車用ECUの小型・高信頼化に貢献した。
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世界初、液晶パネルの駆動に必要なすべての電力供給を賄い、スイッチング用MOSFETも内蔵した小型電源IC。液晶パネルの小型化と市場拡大に寄与した。
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国内初、ノンパンチスルー型IGBTチップを絶縁型パッケージに組むモジュールの製品化により、IGBTのスイッチング損失の温度依存性を改善しモータドライブ用インバータ等の信頼性向上に貢献した。
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世界初、貼り合わせSOIウエハにトレンチ分離を適用した誘導体分離方式と横型IGBTを組み合わせることにより、従来の接合分離方式に比較して、大幅な低消費電力化とチップサイズ縮小によるコストダウンを実現し、カラーPDPの発展に貢献した。
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世界初、パソコンの普及に伴い、その周辺機器としてプリンタが普及する中、特にピエゾ方式のインクジェットプリンタでは入力電源が42V必要となる。この要求に対してパワーMOS内蔵の1chDC/DCコンバータ用ICを開発・量産供給することでプリンタ価格のコストダウンおよび製品の普及に貢献した。
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世界初、チップ温度センサをIGBTチップ上に構成したIGBTチップ、ダイオード、ドライブ回路及び保護回路を絶縁型パッケージ内に構成した。チップ温度の測定により素子適用限界を向上させることによりモータドライブ用インバータの性能向上に貢献した。
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世界初、高サージ耐量と電流制限機能付きのIGBT型ワンチップイグナイタを開発。自動車用独立点火方式の普及、燃費向上と排ガスのクリーン化に貢献した。
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世界初、ZVT部分共振用制御ICとメインMOS-FET・補助MOS-FETを1つのパッケージに搭載。構造は配線基盤を廃止しIC・2つのMOS-FETとフレームで構成することによりオールシリコンで達成。スイッチング電源の高効率・高力率・小型化・高信頼性に貢献した。
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国内初、コレクタ部（裏面）にバルク部とは異なる抵抗層を構成することで電解の緩和をしたフィールドストップ（FS）構造のIGBTにより、バルク層の厚みを低減し低損失なIGBTを実現。パワーエレクトロニクスの発展に貢献。
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世界初、ディジタル・スチル・カメラ向けにCMOSプロセスを用いた初の統合システム電源ICを開発し、ディジタル・スチル・カメラの高機能化、省電力化に貢献した。
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