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拡散・ＣＶＤ装置の熱成膜プロセスにおいて、高い成膜均一性能と生産性及び高コストパフォーマンスした初の量産装置である。それまで主力であった横型装置から縦型装置への置換えが進みデバイスの微細化に大きく貢献した。ウェーハの工程間の自動搬送にも対応し、クリーンルーム内の無人化による無塵化にも大きく貢献した。現在の300㎜対応縦型拡散・ＣＶＤ装置にも受け継がれる基本機能・技術を網羅した装置であった。
情報所有館 ： 国立科学博物館 
コーターデベロッパーは半導体製造のフォトリソグラフィ工程においてウェハ上に感光液を塗布し、リソグラフィ装置による回路パターン転写の後、現像する装置です。 1988年発売のCLEAN TRACK MARK Vはウェハ搬送機構を従来のベルト搬送から高効率ロボットアーム方式に切り替え、装置の革新的な高生産性化、省スペース化を実現した装置です。 現在の先進的なコーターデベロッパー装置の先駆となる装置です。
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アメリカで生まれ発展を遂げつつあった新しい半導体蝕刻法であるドライエッチング技術（液体侵潤式に代わる、プラズマを応用した新しい蝕刻法）。 その技術を初めて純国産化したのがTEL酸化膜エッチャーTE5000 です。 装置内のウェハ搬送を従来のベルト式からより発塵の少ないロボットアーム式に改めるなどハードウェア的な新機軸も盛り込み、当時世界を圧倒していた日本半導体産業の中で高い評価と市場シェアを有していました。
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拡散炉は半導体製造工程の初期において、ウェハに酸化膜や窒化膜を形成する装置です。 1975年に当時、米国THERMCO（サームコ）社と東京エレクトロンのジョイントベンチャーであったテル・サームコ社（現・東京エレクトロン東北㈱）から発売された横型四段拡散炉BRUTE XL。 日本で初めてボートローダとエレベータのメカニズムを含むウェハ処理の全工程を自動化し、拡散工程における飛躍的な生産性の向上を実現しました。
情報所有館 ： 国立科学博物館
東京エレクトロン・フルオートプローバ―『２０S』 プローバ―（Prober）は、半導体製造工程においてウェハをチップに切り出す直前の最終検査工程で使用されます。 従来時間と手間がかかっていたプローバ―装置上でのウェハアライメントに画期的な画像処理技術を採用し全自動化。 また省スペースながら100枚一括検査を可能にし飛躍的に生産性を向上させました。
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東京エレクトロン・プラズマ酸化・窒化装置 『Trias SPA』 ウェハの超微細加工のためにプラズマを利用して超高精度の酸化・窒化を行う装置。プラズマ源に東北大学が開発した画期的なRLSA(Radial Line Slot Antenna)技術を世界で初めて採用しプラズマ衝撃によるウェハへのダメージを大幅に低減しました。産学官連携の技術開発により平成15年、内閣総理大臣賞を授与されました。
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鋼ペン先が初めて日本に輸入されたのは1871（明治４）年です。鋼ペン先は全て輸入に頼っていたので、ゼブラ（当時名称：石川ペン先製作所）が1897年から研究・開発に着手し、製造技術を独自に開発しました。輸入品に負けない品質の鋼ペン先の製造に成功し、1902（明治35）年には日本で最初に国産品の鋼ペン先を発売しました。
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シャーボはゼブラ(株)が国内で初めて開発した機構です。1本の軸内に搭載されたボールペンとシャープペンを回転作動によって切り替え、シャープ芯の繰り出しをノック動作によって行う構造です。1977（昭和52）年7月に研究・開発に着手し、わずか3ヶ月後の同年11月に発売し、1980年8月には特許登録もされました。「便利性と経済性を兼ね備えた素晴らしい新商品」という消費者、マーケットからの高いご評価をいただきました。
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水性細書きマーカーの先駆け。従来は油性マーカーしかなく、紙に筆記した時は裏写りし使えなかった。独特のなめらかなタッチで世界的に大ヒット。NASAのジェミニ飛行に採用されるなど、様々なエピソードを生む。
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