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ケミカルドライエッチング装置 (Chemical Dry Etching System 略名：CDE）は、日本のドライエッチング装置製造会社として徳田製作所が海外へ初めて輸出した装置です（1979年７月25日付日経産業新聞の記事より）。装置内にあるウェハーとマイクロ波で発生したプラズマが離れているため、ウェハーへプラズマダメージが少ないエッチング方法を特徴としています。
情報所有館 ： 国立科学博物館 
半導体製造プロセスにおいて、加工された微細パターン寸法を管理するために使用される電子顕微鏡（通称 測長SEM（SEM:Scanning Electron Microscope）やCD-SEM（CD:Critical Dimension）と呼ばれる）の1/8レプリカ。
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エッチャー装置やCVD装置等半導体製造装置のガス供給部は配管が大きく入り組んでいたり、溶接箇所も多くコンタミ（不純物）の原因となっていました。ガス供給ラインを構成するパーツを標準化することにより配管をシンプルにし、溶接箇所を極力削減したためコンタミの発生はほぼ無くなりました。またパーツの標準化に当たっては組立性を考慮した設計とし、組立やメンテナンスの時間削減にも寄与しました。
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PLA501FAは 5インチウェーハ対応 近接(Proximity)方式の半導体露光装置として量産された。世界ではじめてレーザービーム走査の実用的な自動位置合わせ(オート・アライメント)機構とウエハー自動搬送機構(オートフィーダー)を搭載し、高い信頼性と生産性を提供した。PLA-500シリーズとして1978年から1995年までに 約2500台が生産された。
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全自動ワイヤボンダSWB-FA-UT-3は、当社開発のマイクロコンピュータと検出器を搭載することにより、制御と位置補正の自動化に成功。世界初の完全無人機として、従来の手動ボンダに比べて10倍の生産性を実現。1982年には、米国、半導体製造機器・材料関連会社の業界団体であるSEMIから、同装置の開発が半導体産業の一大技術革新として表彰された。
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ドライイン/ドライアウトをコンセプトとした200mm対応のCMP装置で、ウェーハの研磨処理部と研磨後の洗浄・乾燥処理部を一体化することで、他の半導体製造装置と同様にクリーンルームに設置可能な装置として開発され、多様なCMP プロセスに対応可能なハイスループット型クリーンCMP 装置として、多くのユーザーに採用いただいている。
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荏原製作所が半導体製造装置向けに開発したドライ真空ポンプ初期型である。最大排気速度7000L/min、到達圧力0.5Paの性能を有したルーツ形で、3段メインポンプ（3.7kW）と3段ブースタポンプ（2.2kW）を組合せている。動力源は汎用モータで、オイルシールによる軸封機構を設けている。本ポンプは、半導体製造メーカにおいてエッチャー等の実使用環境下での評価を実施し製品化に至った。
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半導体デバイスの製造の基本となるシリコン単結晶引上装置の全自動化装置国産第1号機。海外製自動化装置が発表される中で、国内の結晶育成オペレータの意見が反映され、海外製装置の欠点を補い、高生産性を誇る装置となった。構造的にもワイヤーを引き上げ軸に採用するなど、斬新な設計が行われている。現在の国産シリコン引上装置のディファクトスタンダードモデル。シリコン単結晶サイズは、６インチ～８インチまで育成可能であった。
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1961年8月、国産一号機であるシリコン単結晶性能測定用の比抵抗測定器を開発・発売した。ウェハーサイズ10ｍｍ用の比抵抗測定器。その後ウェハ－大口径化に伴いシリーズ化され、現在12インチ用測定器に至る。8インチ用（VR-70）から自動化が進み、移載機付も開発・販売している。販売台数はRM1から始まり、現在のVR300DSEまでシリーズ累計で1965台となる。
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ＤＣ－５２００エピタキシャル装置は技術の革新、変化に顕著な役割を果たした装置である。従来のように石英ベルジャーを設置する構造から水冷式外部ステンレスベルジャーに密着出来る構造とし当時の技術課題であった膜厚均一性、抵抗率均一性、結晶欠陥の制御他を解決し、量産装置として全ての材料ガスに対応可能とし安全性、信頼性をも両立した装置であり、昭和５９年に第２６回科学技術長官賞（功労賞）を受賞した。
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