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IC露光装置の交換用ランプとして開発。輝点が小さく、紫外域の輝線スペクトルが安定していることから、取扱いや光学設計が容易となり、多くの国内半導体メーカーに採用された。このランプは、その後にトップシェア製品となった「USH-350D」をはじめ、「ディープUVランプ」「SUVランプ」など、露光用光源の技術ベースとなる。
情報所有館 ： 国立科学博物館 
超高圧水銀ランプの光をミラーとコンデンサレンズで集光し、コリメータレンズで平行光に変え、高輝度で均一な光を取り出す。ICのフォトリソグラフィ研究が精力的に行われていた国内半導体メーカー各社に、安価で手軽さが評価され、露光装置の代用機として簡便な実験に使われた。
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世界初の投影方式の露光装置。フォトマスクの図形を投影レンズを使ってウエハー上に等倍で投影し、一括して焼付ける。当時のウエハーサイズは１～1.5inch、フォトマスクの最小線幅は5～10μm。これに対して、本装置の解像力はφ30～φ40mmイメージフィールドで5～8μm以内。焦点深度は±40μm、位置合わせ精度は±3μm、露光時間は20～30秒であった。
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露光装置メーカーの要請に応えて開発。IC焼付け用として定着していた350W超高圧水銀ランプに比べ、より短波長である230～320nmの遠紫外光を放射し、ランプ出力も500Wに高めた。これにより、LSI、超LSIへの微細化、高集積化に対応した。
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ランプ出力をこれまでの500Wから1kW、2kWにパワーアップし、ウエハー基板の焼付け時間を数分から数十秒に短縮した。この大出力化技術は、のちの半導体フォトリソグラフィ用ランプやプリント基板露光用ランプの高照度化の基礎となる。
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ハロゲンヒータランプは、高効率でクリーンなエネルギー、急速高温加熱が可能、長寿命で安定したエネルギー放射など、ハロゲンランプの特長を活かした加熱用ランプである。HHシリーズは、これらに加え、加熱の均一性、エネルギー制御の素早さ、取扱いの簡便性などがアメリカの大手半導体製造装置メーカーに評価され、シリコンエピタシャル結晶膜成長装置の光加熱源として採用された。
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半導体や水晶振動子の表面に付着した微細な有機化合物を、低圧水銀ランプの紫外線を使って分解、気化させて取り除く。世界初のドライ洗浄装置として注目を集めた。この光洗浄法は、のちに液晶パネル製造の標準プロセス設備として定着した、エキシマランプによるVUV/O3洗浄装置の基礎となる。
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超LSIの微細な回路パターンを正確にエッチングできるようにするため、あらかじめレジストを硬化させる。強力で均一な遠紫外線の照射によって、短時間でレジストの変形やダレを防ぎ、高精度に回路パターンを保つ。ウエハー自動搬送系やコンピュータ制御系の装備や、プロセスノウハウの提供により、日本、韓国、台湾で80％のマーケットシェアを獲得した。
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1980年代中ごろ、生産性の向上が重要課題となっていた4M、16Mビットの半導体製造ラインでは、パーティクルとなるレジスト飛散が大きな問題となる。本装置は、ウエハー周辺部の不要なレジストを紫外線によって除去し、不良品の低減、工程のクリーン化に寄与した。
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64Mビット、256Mビットと進む半導体の微細化、高集積化に対応するため、業界に先駆けて開発。従来のランプと異なり、ｉ線を主波長としている。また、1999年から2001年にかけて、さらに照度を20％高めた高照度タイプと、照度の減衰を抑えた高維持率タイプを開発。ランプ出力においても2.5kWから5kWまでラインナップし、以降、半導体メーカーの生産性の向上に応えている。
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