パワーMOSFET　SuperFAP-Gシリーズ

世界初、プレーナー型パワーMOSFETにおいて、シリコン理論限界の10％以内にまで迫る低オン抵抗特性と従来比約1/2倍の高速スイッチング特性を両立した画期的な超高性能パワーMOSFETを実現し、スイッチング電源の小型化、高効率化に貢献した。

逆阻止IGBTモジュール

世界初、順・逆両方向に耐圧を有するIGBTチップを冷却体と絶縁したパッケージ内に2阻止並列接続の状態で内蔵することで双方向のスイッチを構成した。交流電流の周波数をダイレクトに交換する装置等に応用することでパワーエレクトロニクスの発展に貢献した。

世界初、RGBのLED輝度勾配をデジタル制御する回路を含む、携帯電話の統合LED用電源ICを製品化した。蛍のような着信イルミネーション、バックライトなどのLED点灯制御を本電源IC1個で行うことが可能となった。

世界初、共振はずれが無く、軽負荷での周波数上昇が少ない複合型電流共振用の専用制御ICと2つのMOS-FETを1つのパッケージに搭載しオールシリコンで達成。スイッチング電源の高効率・高力率・小型化・高信頼性に貢献した。

世界初、CMOSプロセスでEPROMを用いたデジタルトリミングが可能なワンチップの車載用圧力センサを開発し、自動車のエンジンマネジメントに関するエレクトロニクス化、環境性能の向上に貢献した。

世界初、自己分離CMOS/NOMOSプロセスを用いた、車載環境でのサージ（ESD、IGパルス）は吸収し、車両状態信号のみをCPUに伝達する入力統合ICを開発し、自動車用ECUの小型・高信頼性化に貢献した。

世界初、パワーインダクタと制御ICを一体化して厚さ1mm以下の製品を実現した。インダクタと制御ICを併せた実装面積で世界最小サイズ（3．5mm□）。携帯機器の小型化に貢献。

世界最小、パワーインダクタと制御ICを一体化したインダクター体型制御ICとして世界最小サイズ（2．95mm*2.40mm）を実現。携帯機器の小型化に貢献する。

バッチャープラントとは、フレッシュコンクリート　標準用語：レディーミクストコンクリート（生コン）の製造工場の名称です。形式は、強制２軸コンクリートミキサー（１．５ｍ３）公称能力は、時間当たり９０ｍ３の製造能力です。

国内初の個人向け日本語ワープロ。1984年（昭和59年）に発売され、当時10万円を切る低価格を実現。熱転写の印字方式を採用することにより、小型でありながら高機能な製品を開発。その後の個人向けワープロ市場を広げた画期的な製品。

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