ワンチップ高機能MOSFET

世界初、自己分離NOMOSプロセスを用いた、過電流・サージ（ESD、L負荷サージ）に対する保護機能と出力段MOSをモノリシック構成し、従来の単体MOS、BJTと同じ3端子構成で実現した高機能MOSFETを開発し、自動車用ECUの小型・高信頼化に貢献した。

液晶パネル専用電源IC

世界初、液晶パネルの駆動に必要なすべての電力供給を賄い、スイッチング用MOSFETも内蔵した小型電源IC。液晶パネルの小型化と市場拡大に寄与した。

国内初、ノンパンチスルー型IGBTチップを絶縁型パッケージに組むモジュールの製品化により、IGBTのスイッチング損失の温度依存性を改善しモータドライブ用インバータ等の信頼性向上に貢献した。

世界初、貼り合わせSOIウエハにトレンチ分離を適用した誘導体分離方式と横型IGBTを組み合わせることにより、従来の接合分離方式に比較して、大幅な低消費電力化とチップサイズ縮小によるコストダウンを実現し、カラーPDPの発展に貢献した。

世界初、パソコンの普及に伴い、その周辺機器としてプリンタが普及する中、特にピエゾ方式のインクジェットプリンタでは入力電源が42V必要となる。この要求に対してパワーMOS内蔵の1chDC/DCコンバータ用ICを開発・量産供給することでプリンタ価格のコストダウンおよび製品の普及に貢献した。

世界初、チップ温度センサをIGBTチップ上に構成したIGBTチップ、ダイオード、ドライブ回路及び保護回路を絶縁型パッケージ内に構成した。チップ温度の測定により素子適用限界を向上させることによりモータドライブ用インバータの性能向上に貢献した。

世界初、高サージ耐量と電流制限機能付きのIGBT型ワンチップイグナイタを開発。自動車用独立点火方式の普及、燃費向上と排ガスのクリーン化に貢献した。

世界初、ZVT部分共振用制御ICとメインMOS-FET・補助MOS-FETを1つのパッケージに搭載。構造は配線基盤を廃止しIC・2つのMOS-FETとフレームで構成することによりオールシリコンで達成。スイッチング電源の高効率・高力率・小型化・高信頼性に貢献した。

国内初、コレクタ部（裏面）にバルク部とは異なる抵抗層を構成することで電解の緩和をしたフィールドストップ（FS）構造のIGBTにより、バルク層の厚みを低減し低損失なIGBTを実現。パワーエレクトロニクスの発展に貢献。

世界初、ディジタル・スチル・カメラ向けにCMOSプロセスを用いた初の統合システム電源ICを開発し、ディジタル・スチル・カメラの高機能化、省電力化に貢献した。

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