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情報所有館 ： 国立科学博物館 
（１）優れた遮断特性により，負荷ショートによる破壊からICやLSIをはじめとする回路を守るための回路保護素子として開発。・超高速遮断特性を実現。（２）VL認定を受けている。
（１）GⅢファクシミリに対し，初めて仕様を（高速性）満足するサーマルヘッドの開発に成功した。（２）その後の爆発的なファクシミリ市場の伸びのトリガーとなった。（３）感熱紙にも大きな需要をもたらし，感熱記録を使用した機器（ワープロ，キャッシュレジスタ）の電子化への道を開いた。
（１）自動車用メータ表示器にLED（発光ダイオード）を採用した。自動車のパネルの電子化の口火を切った。（２）従来からのイメージを大きく変えたデザイン。自由度の高いメータが製造可能となり，自動車のハイテク化のイメージを，消費者に直接的に視覚で訴えた。
（１）世界で初めてバイアス抵抗を内蔵したスイッチ回路に適したトランジスタを製品化した。（２）バイアス抵抗を内蔵したことで，外付けの部品が不要となり，実装基板が簡素化される。面実装トランジスタの場合，一層の小スペース化が可能。（３）ON，OFF条件の設定で動作するため，回路設計が容易になる。（４）薄膜抵抗を採用し，完全にアイソレーションしているため，寄生効果がない。
（１）世界で初めて本格的な表面実装用ダイオード（リードレスダイオード）の生産を開始し，ダイオードの表面実装化に弾みをつけた。（２）高価なモールド構造でなく，コストパフォーマンスに優れたガラスシールド工法で，表面実装ダイオードを実現させた。（３）本商品の製品化により，各種電子機器の小型化が進んだ。
（１）同じ定数を使うディジタル回路においては，省スペース。（２）チップ搭載回数を削減し，コストダウンに寄与。（３）チップ抵抗器と同じライン，同じ工法で，高い信頼性がある。
（１）VTRのHi-Fi音声化と小型・薄型要求による駆動IC付きLED（発光ダイオード）レベルメータユニット。（２）以後約5年間，ほぼ全てのHi-Fi VTRに採用され，LED商品のハイブリッド化，高付加価値化への口火を切った。
（１）MBE（Molecular Beam Epitaxy）法による半導体レーザの工業的な実用化に世界で初めて成功した。（２）原子オーダでの精密制御によって，化合物（AIGaAs）半導体結晶成長が可能。（３）CD（コンパクトディスク），レーザビームプリンタ，光通信など，用途ごとに要求される特性を最適化する設計，製造が可能。（４）従来は，量産に向かないと言われていたMBE装置を独自技術で改良することで，長期安定稼働な装置にした。（５）1993年 IEEEの「ENGINEERING ACHIEVEMENT AWARD」賞を受賞。
（１）業界初のCMOSによる1チップVTR用デジタルサーボLSIである。（２）1970年代の電子産業において，大きな位置を占めるVTR用LSIの開発で，ロームは先端を走っていた。その中でも，ドラム，キャプスタンの速度サーボを1チップで行う，このCMOSタイプの「BU2710S」は，画期的な成果であったといえる。（３）VTRの後々の発展およびコストダウンに貢献する。マイコン＋ディジタルサーボチップおよび，タイマ＋チューナ＋サーボマイコンがCMOSで完成していく流れの最初であった。
（１）世界で初めてSC-59パッケージのサイズに2素子を内蔵し，5ピン，6ピンの製品化を実現した。（２）その後1ランク小型のSC-70パッケージの2素子内蔵化にも成功し，パッケージバリエーションを拡充した。（３）2素子内蔵により，実装面積は，50％にダウンできた。（４）5ピンタイプは，エミッタコモン，べースコモンをはじめ，パワーマネージメント用にpnp型のベースとnpn型のコレクタを結合したスイッチ回路など，さまざまな回路構成に対応が可能となった。
