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情報所有館 ： 国立科学博物館 
複数のトランジスタとダイオードチップを一つのパッケージに組み込んだモジュール型とすることで，電力変換装置の大容量化・小型軽量化など今日のパワーエレクトロニクスの発展と需要の拡大に貢献した。
（１）バイポーラトランジスタの低オン電圧特性とMOSFETの電圧駆動と高速動作を兼ね備えたIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）を開発した。（２）モジュール系列を拡大し，産業用インバータ等の大容量化，小型軽量化，低騒音化，高効率化に貢献した。
（１）光センサ，A-D変換部，CMOSロジックを世界で初めて1チップに集積した，カメラの自動焦点（オートフォーカス）制御IC。・カメラの自動焦点制御の高性能化に貢献した。（２）オートフォーカスICと光学系を一体化したモジュールの開発で，カメラの一層の小型化と測距精度を向上させた。
炭素皮膜固定抵抗器は，戦後の通信や白黒テレビまでの時代を支えた抵抗器である。・戦前から存在していたが，戦中から戦後の日本電信電話公社（現NTT）を中心とした電話機や通信機器，ラジオ，そして白黒テレビの時代まで使われたのが，このL型抵抗器である。・これは，抵抗体に対してリード線が横方向に出ている抵抗器。・その後，軸方向リード型の「P型」となり，小型化，絶縁型へと変化して，今日まで民生用抵抗器の主力となっている。
（１）各種電気特性の再現性，安全性，機械的強度，寿命等に優れたビード型のNTC（負特性）サーミスタ。（２）日本電信電話公社の共電式構内交換器用サーミスタとして，仕様に合格し，日本で最初に採用された。
（１）シリコンカーバイト（SiC）粒子を主原材としたバリスタ。・抵抗値の電圧依存性が極めて大きい。・温度係数が非常に小さい。・耐過負荷性が著しく大きい。
（１）電子工業の振興のため政府が企画した「電子工業振興5カ年計画」（昭和33年12月）にともなう開発銀行の融資第1号（昭和34年7月）として当社の生産機械の自動化が選定された。（２）これによって，抵抗器の電極キャップ挿入，切条加工，リード線溶接などの自動化機械を開発した。（３）その後の抵抗器の生産性の飛躍的向上とコストダウンに先鞭をつける役割を果たした。
（１）信頼性に優れた抵抗器・当時抵抗器の主力は，非絶縁型の炭素皮膜抵抗器ソリッド抵抗器であり，信頼性や精度を満足するものは高価で，高級な装置にしか使えなかった。・この抵抗器の開発によって手頃な精度と価格が実現した。（２）ソリッド抵抗のサイズで精度の良い抵抗を実現。・基体のセラミック等の開発によって，比較的大電力のソリッド抵抗の規格と1％クラスの精度，信頼性を実現した。
（１）電力用として小型，低価格な抵抗器。・テレビ時代にあって電力を消費する抵抗器は巻線抵抗器等が使われていたが，酸化金属皮膜を応用したこの抵抗器の出現で形状などにおいても従来の炭素皮膜抵抗器と同様の手軽さで使えるようになった。（２）不燃化，安全化技術を推進。・赤熱しても断線しない強力な皮膜の特性を生かすため，不燃性塗料やリードフォーミング等，UL等の安全規格に対応するための技術，材料が進展した。
（１）究極の実装部品。・抵抗器と配線が厚さほぼゼロであり，この点では現在の表面実装技術にも負けない。（２）塗料によるスルーホール。・パンチング基板の孔に銀塗料を塗るスルーホールは熱に対する信頼性では銅メッキなどをはるかに超えている。（３）軽薄短小時代の先駆け。・厚さのないフラットな特性は，その上にプラスチック部品を直接取り付けることも可能にした。（４）ハンダ付がないことから、環境負荷物質である鉛を従来比約半分に減らしている。
