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情報所有館 ： 国立科学博物館 
（１）世界最初の全LSI化大型コンピュータ「M-190」を実現できた。（２）他品種対応のゲートアレイ方式（100ゲート搭載）。（３）ECL（Emitter Coupled Logic）回路を採用し，ゲート遅延時間tpd=700psを実現。（４）CAD技術の大幅採用（自動設計，Function Test, Delay)。（５）多ピン（84ピン）セラミックPKGの採用。
（１）世界初のGaAsパワーFET。・出力電力1.6W，効率30％（2GHz）。（２）TWT（進行波管）を置き換えられる3端子素子として注目を集めた。（３）その後のマイクロ波地上および衛星通信の送信装置に使用されてきている。（４）装置の固定化が可能となり，信頼度の高い通信網が実現できた。
（１）大規模ゲートを搭載したCMOSゲートアレイとして世界初の製品。・CMOS ASIC（Application Specific IC）の先駆的製品である。（２）従来，カスタムLSIでは開発に数カ月も要していたが，このゲートアレイは下記の特徴によって開発期間の大幅短縮と確実な開発を実現した。・LSI設計用CADシステムによる大幅な自動化。・配線工程だけで各顧客に応じた回路使用を実現。（３）メタル2層配線技術を適用した2000ゲート，3900ゲート製品を皮切りに，メタル3層配線技術を適用した2万ゲート（1984年発表）までをシリーズ化。（４）2万ゲートではSRAMをエンベッデドした（組み込んだ）タイプも用意。
（１）HEMT（High Electron Mobility Transistor）は，新しい原理・構造をもつトランジスタ。・これまでに実用化された半導体デバイスの中で，最も優れた高速・高周波性能を実現したデバイス。（２）GaAs，AlGaAs等を組み合わせたヘテロ構造の通常のトランジスタ構造と異なり，電子が走行する層に不純物を添加する必要がないため，電子のスピードを飛躍的に高くできることを実証した。（３）HEMTは衛星放送受信用の低雑音デバイスとして，国内外の多くの企業で商品化され，衛星放送を世界的に普及させる原動力となった。（４）最近では携帯電話やPHSの基地局，GPSを利用したカーナビゲーションシステム等にも使用され，各種無線システムに必須のデバイスにまで成長した。
（１）世界初の商品化（APD：Avalanche Photo-Diode）。（２）高感度，高信頼性特性（低過剰雑音，低暗電流，高速応答）。（３）400M～1.6Gビット／秒の１μm帯光通信の陸上／海底システムに広く使用され，昭和50年代における１μm帯光通信システムの構築に大きく寄与した。（４）発売後5年ほどは独占状態であった。
（１）個別製品から複合製品まで着実に開発ロードマップを歩んでいる。（２）消費電流や動作周波数等世界トップの性能を実現している。（３）移動体通信市場においては世界の標準品となった。
（１）従来のnMOS EPROMとの互換性を保ちながらCMOSの特徴である低消費電力を実現した。（２）高集積，高性能のCMOS EPROMが実現可能であることを実証し，その後のEPROMのCMOS化への先駆的製品となった。
（１）従来平面的に構成されていたDRAMセルを初めて立体構造として製品化することに成功した。（２）これ以降，立体的セル構造が一般に使用されるようになり，DRAMの高集積化に大きく貢献した。
（１）世界で初めてGaAs FETを使った携帯電話送信用モジュールを商品化。（２）低電力・高効率・小型・軽量である。動作電圧：6V、効率：60％、大きさ：3.2cc、重さ：4g、出力電力：32dBm、周波数範囲：890M～915MHz、
（１）世界初の商品化されたニューロチップ。（２）ユニークなアナログバス方式でのニューロ間結線方式と並列処理。（３）アナログとディジタルを効果的に使い分けたニューロ演算方式。（４）ニューロチップを搭載したボードと，専用の学習ソフトを合わせたニューロシステム。
