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情報所有館 ： 国立科学博物館 
（1）真空管を使わず，半導体だけで日本で初めてカラーテレビを製品化した。その後，他社も続々とオールテートランジスタ化に向かい，今日のカラーテレビ発展の基礎を築いた。（2）半導体化により，信頼性向上，軽量化，低消費電力化を実現した。また，真空管のヒータ加熱が不要となり，電源を入れてから画像が出るまでの時間を大幅に短縮し，使い勝手の大幅な向上を実現した。（3）半導体の高耐圧化技術がテレビ分野のみでなく，他の分野へも拡大していった。（4）1970年市村賞受賞。
当社初の本格的ハイファイスピーカーシステムギャザードエッジ等多くの新技術を採用 。 特徴： ギャザードエッジ、 セーラーキャップ形ウーファ、 Al削りだしウルトラリニアホーンツイーター、 ハの字形音響レンズ、 ESP手法による音質設計、 ダンプトバスレフエンクロジャー。
世界初の3ヘッドカセットデッキ・R&Pコンビネーションヘッド。・3モーターデュアルキャプスタン。・L.P.D.S.（低位相歪補償システム）の採用。
（1）20型なみの本体寸法（幅86.0cm×高さ58.0cm×奥行き46.5cm）で26型大画面を110度広角偏向CRT（ブラウン管）を開発することで実現し，その後の29型を中心としたテレビの大画面化時代の幕開けとなった。（2）110度広角偏向CRTでは世界で初めて色ずれ調整回路なしのセルフコンバーゼンス方式を開発し，長期の性能安定性とコスト低減に寄与し，その後の大画面薄型テレビの普及に貢献した。（3）ダンパーダイオードレスの大出力水平偏向回路の開発によるパワー回路の信頼性向上やコストの低減，フィールドコントローラ内蔵CRTやセルフコンバーゼンス偏向ヨークの開発による表示品質の向上を図った。
世界初のパワーMOS FETメインアンプ・電力増幅素子にMOS FETを採用。・大出力広帯域低ひずみ（100W＋100W,5HZ～100KHZ,0.01％THB）。・DCアンプ構成。・完全左右独立2電源構成。
（1）カラーテレビの中間周波（IF）フィルタにSAW（Surface Acoustic Wave：表面弾性波）フィルタを国内で初めて搭載した。その後他社も続々と採用し，テレビIF用SAWフィルタの先鞭を付けた。（2）テレビIF回路部の部品数・調整数・基板面積を半減し，性能向上と性能の安定化を実現した。（3）テレビ分野だけでなく，携帯電話等の通信分野の高周波SAＷフィルタ，SAＷデュプレクサ開発の道を開いた。（4）1978年 米国IEEE優秀論文賞。1980年市村賞受賞。
（１）世界最小・最軽量。（２）屋外で手軽にビデオ録画を楽しむことが可能となった。
国内初の固体撮像素子（MOSセンサー）を使用した民生用ビデオカメラ。・これ以前は撮像管で受像するカメラであった。 団体撮像素子を採用することにより以降， （１）カメラの小型化。 （２）調整工程の簡略化 → 生産向上。 （３）固体撮像素子量産効果による低コスト化。 等，今日のVTR一体形カメラの原点と云えるカメラ。 現在は，CCDセンサーが主流であるが，固体撮像素子の先駆けはMOSセンサーであり，MOSセンサーを採用した1号機がVK-C100である。
世界初のCDプレーヤー。 3スポット方式レーザーピックアップ。 ユニトルクモーター。
（１）業界初のテレビ内蔵ゴーストキャンセラ。従来，ゴースト除去装置の製品化例はあったが，除去範囲が狭い上に，部品数も非常に多く，外付タイプの形態にとどまっていた。これを以下の技術により低コスト化，小型化し，業界で初めてテレビ内蔵を実現した。（２）この技術は，その後のEDTV（Extended Definition Television）技術へ展開され，地上波の画質向上に大きく貢献した。
