(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
東京エレクトロン株式会社製 半導体製造装置 エッチャー TE5000 |
資料番号 : 113611610041 |
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所在等 | 東京エレクトロン株式会社 |
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所在地 | 東京都港区 |
製作(製造)年 | 1989 |
種類 | 写真 |
製作者(社)等 | 東京エレクトロン山梨株式会社(現・東京エレクトロン宮城株式会社) |
調査機関団体 | 日本半導体製造装置協会 |
特徴 | アメリカで生まれ発展を遂げつつあった新しい半導体蝕刻法であるドライエッチング技術(液体侵潤式に代わる、プラズマを応用した新しい蝕刻法)。 その技術を初めて純国産化したのがTEL酸化膜エッチャーTE5000 です。 装置内のウェハ搬送を従来のベルト式からより発塵の少ないロボットアーム式に改めるなどハードウェア的な新機軸も盛り込み、当時世界を圧倒していた日本半導体産業の中で高い評価と市場シェアを有していました。 |
資料公開状況 | 公開 |
調査票記入日 | 2014/12/17 |