シリコン単結晶引上装置 DP-3800RW

資料番号 : 113611610036
所在等 株式会社 国際電気セミコンダクターサービス サービス本部 サービス営業部
所在地 東京都千代田区
製作(製造)年 1982
種類 設計図・文献
製作者(社)等 国際電気株式会社(現 株式会社 日立国際 電気)
調査機関団体 日本半導体製造装置協会
特徴 半導体デバイスの製造の基本となるシリコン単結晶引上装置の全自動化装置国産第1号機。海外製自動化装置が発表される中で、国内の結晶育成オペレータの意見が反映され、海外製装置の欠点を補い、高生産性を誇る装置となった。構造的にもワイヤーを引き上げ軸に採用するなど、斬新な設計が行われている。現在の国産シリコン引上装置のディファクトスタンダードモデル。シリコン単結晶サイズは、6インチ~8インチまで育成可能であった。
資料公開状況 公開
調査票記入日 2014/09/30
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