(データは調査時のものです。最新の状況とは一致しない場合があります。)
世界初GaN青色発光ダイオード 開発実施報告書「GaN青色発光ダイオードの製造技術」 |
資料番号 : 107310821028 |
所在等 |
豊田合成株式会社 |
所在地 |
愛知県稲沢市 |
製作(製造)年 |
1990~1993 |
種類 |
試作品、その他 |
製作者(社)等 |
豊田合成株式会社 |
調査機関団体 |
社団法人日本自動車部品工業会 |
特徴 |
新技術事業団より開発委託を受け、名古屋大学赤崎勇教授(当時)指導の元成功認定(1991年)を受けた「世界で初めて青色発光が得られた発光ダイオード」。 本素子は、最初にMOCVDM法により、基板にサファイアを用いA1N低温バッファー層、n型GaN(窒素ガリウム)層、i型GaN(p型不純物ドーピング層)を順に積層する。その後、チップ化工程、分離工程を経てチップを形成し、最後に、リードフレームに配線し樹脂を用いてレンズ形成した。 本技術が確立できたことにより、色の3原色である青・緑・赤がすべてLEDでまかなえることができるようになった。この技術が「高い発光効率」「低いエネルギー消費効率」「長寿命」「小型素子」というLEDの特徴を活かして、現在では信号機、大型ディスプレイに応用されている。また、蛍光体と組み合わせで白色LEDの実現につながり、携帯電話用液晶バックライトや、今後カーナビ、パソコン用の液晶バックライト、照明用光源、自動車用ヘッドライトへの応用が期待されている。 |
資料公開状況 |
非公開 |
調査票記入日 |
2007/03/03 |
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